Schaltungstechnik

260 5 Funktionsschaltungen mit Bipolartransistoren
gezeigt wird, lässt sich die stromgesteuerte Stromquelle in eine spannungsgesteuerte
Stromquelle umrechnen. Die inneren Diodenstrecken des Bipolartransistors
sind die Emitter-Basis Diode (Flussspannung an der Diode: U B’E ) und die Kollektor-Basis
Diode. Voraussetzung für Verstärkerbetrieb ist, dass die Emitter-Basis
Diode in Flussrichtung und die Kollektor-Basis Diode in Sperrrichtung betrieben
wird. Dies muss durch eine Beschaltung des Transistors mit Vorspannung und
Betrieb in einem geeigneten Arbeitspunkt bei gegebener Aussteuerung sichergestellt
werden. Man kennzeichnet diese Betriebsart mit Normalbetrieb.
a) A IE I b)
C
C
B
I B
r b
U BE
Bild 5.1-2: Symbol und Klemmengrößen von npn und pnp Transistor, sowie deren innere
Diodenstrecken (verwendet werden Richtungspfeile); a) npn-Transistor; b) pnp-Transistor
Im Normalbetrieb weist die Emitter-Basis Diode die Schwellspannung von ca.
0,7V auf (bei Si-Transistoren), sie ist in Flussrichtung betrieben. Die Kollektor-
Basis Diode muss durch eine ausreichend große Spannung U CE gesperrt sein. Der
Sperrstrom der gesperrten Kollektor-Basis Diode wird mit I CB0 angegeben.
Tabelle 5.1 - 1: Spice-Parameter des DC-Modells
Name typ. Wert Bedeutung Parameter
A A = 0.99 =
B/(1+B)
B B = 100 =
A/(1-A)
IB rb B' UCE B
B'
I E
E
Arbeitspunkt:
(A) (A)
IC ; UCE ;
(A)
mit UCE > 0,5V.
Stromverstärkung
A = ICIE U EB
A IE Stromverstärkung BF, XTB
B =
ICIB BR
I S I S = 10 -15 A Sättigungssperrstrom; legt indirekt
die Schwellspannung in Flussrichtung
fest: typ. 0,7 V
I CB0 I CB0 = .. nA Sperrstrom der Kollektor-Basis
Diode
I C
C
U EC
I E
E
Arbeitspunkt:
(A) (A)
IC ; UEC ;
(A)
mit UEC > 0,5V.
IS, XTI
NF, NR,
IKF, IKR
ISC, NE
ISE, NC