Schaltungstechnik

76 2 Entwicklungs- und Analysemethodik
aufgebaut werden kann, geht die Diode über in den Sperrbereich. Die Speicherzeit
hängt wesentlich vom Parameter TT ab, siehe Bild 2.2-41.
Bild 2.2-40: Testschaltung zur Bestimmung der Speicherzeit einer Diode mit Angabe des
Modellparametersatzes der Diode
Experiment 2.2-3: Diode_Testbench_TT – Ermittlung der Speicherzeit.
8.0mA
4.0mA
0A
-4.0mA
6.0V
4.0V
2.0V
Flussstrom
I(D1)
V(1)
V(2)
Ausräumstrom
Speicherzeit
0V
0s 100ns 200ns 300ns 400ns
Bild 2.2-41: Ergebnis der Testschaltung zur Ermittlung der Speicherzeit einer Diode
Model Editor: Mit dem in Orcad-Lite/PSpice verfügbaren Model Editor in Bild
2.2-42 ist es möglich, neue Diodenmodelle zu entwickeln. Anhand der charakteristischen
Kennlinien lassen sich unmittelbar die elektrischen Eigenschaften ermitteln
und veranschaulichen. Im einzelnen können dargestellt werden: der
idealtypische Bereich inclusive Hochstrombereich, der Sperrbereich, der Durchbruchbereich,
der Verlauf der Sperrschichtkapazität und das Speicherverhalten.