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Schaltungstechnik

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72 2 Entwicklungs- und Analysemethodik<br />

Bild 2.2-34: Realer Sperrstrom einer Diode (Auszug aus dem Datenblatt der Diode 1N4148;<br />

(1) U R = 75V, (2) U R = 20V<br />

Statische Modellparameter einer Diode: Das nachstehende Bild 2.2-35 zeigt<br />

schematisch die statische Kennlinie einer Diode mit den drei Bereichen<br />

Flussbereich (idealtypischer Bereich: IS, N);<br />

Hochstrombereich (oberhalb IKF: Hochstromeinfluss);<br />

Sperrbereich (ISR, NR, M, VJ):<br />

ID Name Bedeutung typ. Wert<br />

IKF<br />

RS<br />

ISR<br />

IS<br />

NR<br />

N<br />

U D<br />

IS Transportsättigungssperrstrom 10 -15 A<br />

N Emissionskoeffizient 1<br />

RS Ohmscher Widerstand 10<br />

ISR Rekombinationssperrstrom 10 -9 A<br />

NR Emissionskoeffizient 2<br />

IKF „Knickstrom“ 10mA<br />

Bild 2.2-35: Schematisch skizzierte Kennlinie einer Diode bei U D >0 mit Modellparametern

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