Schaltungstechnik

2.2 Vorgehensweise bei der Schaltungsanalyse 69
besonderer Bedeutung sind das Temperaturverhalten und Exemplarstreuungsschwankungen,
die bei Anwendungen zu berücksichtigen sind.
U 1
Bild 2.2-30: Testbench zur Ermittlung der Kennlinien einer Diode; die Spannung U 1 wird
mittels DCSweep verändert
Experiment 2.2-1: Diode_Testbench_Kennl – DCSweep-Analyse zur
Darstellung der Kennlinie einer Diode bei einer Temperatur von -40 o C,
25 o C und 125 o C.
40mA
I D
30mA
20mA
10mA
-40
0A
0V 200mV 400mV 600mV 800mV
o Sperrbereich
C
Bild 2.2-31: Kennlinie einer Diode im Flussbereich bei einer Temperatur von -40 o C, 25 o C
und 125 o C
Das Ergebnis der Kennlinie einer Silicium-Diode im Flussbereich zeigt Bild 2.2-31
bei unterschiedlichen Temperaturen. Der Temperaturkoeffizient der Schwellspannung
beträgt ca. -2mV/ 0 C. Die Schwellspannung liegt typisch bei Normaltemperatur
bei ca. 700mV. Die Kennlinie im Sperrbereich zeigt Bild 2.2-32. Im gegebenen
Beispiel stellt sich bei ca. -20V der Durchbruchbereich ein. Der Sperrstrom ist
spannungsabhängig und liegt bei Normaltemperatur im Bereich nA.
D
Flussbereich
125 o C
25 o C
Schwellspannung bei 25 o C