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Schaltungstechnik

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2.2 Vorgehensweise bei der Schaltungsanalyse 65<br />

Das ideale Widerstandsmodell soll nunmehr gemäß Bild 2.2-6 erweitert werden.<br />

Das erweiterte Modell in Bild 2.2-25 beinhaltet zusätzlich Induktivitäten und eine<br />

parasitäre Kapazität. Die Ersatzschaltung weist zwei äußere und drei innere Knoten<br />

auf.<br />

pin1 LSZ1 R<br />

Cp LS LSZ2 pin2<br />

n1 n2 n3<br />

Bild 2.2-25: Erweitertes Widerstandsmodells mit Bezeichnung der Netzknoten<br />

Die zugehörige VHDL-AMS Beschreibung zeigt Bild 2.2-26. In der „Entity“ werden<br />

die äußeren Anschlussklemmen „pin1“ und „pin2“ vom Typ „electrical“ als<br />

„Terminal“ deklariert. Über „Generic“-Attribute lassen sich in der „Entity“ die<br />

Induktivitäten Lsz, Ls, die Kapazität Cp und der Widerstand als Attribute mit Wertvorbesetzungen<br />

einführen. In der „Architecture“ müssen die inneren Knoten „n1“,<br />

„n2“ und „n3“ als „Terminal“ vom Typ „electrical“ deklariert werden. Im Weiteren<br />

sind die „Quantities“ zu deklarieren. Die eigentliche Modellbeschreibung erfolgt<br />

zwischen „Begin“ und „End“ innerhalb der „Architecture“.<br />

library ieee, disciplines;<br />

use disciplines.electromagnetic_system.ALL;<br />

entity resistor is<br />

generic (<br />

Lsz : real := 0.0; -- Zuleitungsinduktivitaet<br />

Ls : real := 0.0; -- innere Induktivitaet<br />

Cp : real := 0.0; -- Kapazitaet<br />

R : real := 0.0); -- Widerstand<br />

port (<br />

terminal pin1, pin2 : electrical);<br />

end entity resistor;<br />

architecture level1 of resistor is<br />

terminal n1, n2, n3 : electrical;<br />

quantity i : real;<br />

quantity v across pin1 to pin2;<br />

quantity vc across ic through n1 to n3;<br />

quantity vlsz1 across ilsz1 through pin1 to n1;<br />

quantity vlsz2 across ilsz2 through n3 to pin2;<br />

quantity vls across ils through n2 to n3;<br />

quantity vr across ir through n1 to n2;<br />

begin -- level1<br />

ic == Cp * vc'dot;<br />

vlsz1 == Lsz * ilsz1'dot;<br />

vlsz2 == Lsz * ilsz2'dot;<br />

vr == R * ir;<br />

vls == Ls * ils'dot;<br />

i == ic + ir;<br />

end architecture level1;<br />

Bild 2.2-26: Modellbeschreibung eines realen Widerstandes mit parasitären Eigenschaften

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