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Schaltungstechnik

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62 2 Entwicklungs- und Analysemethodik<br />

2.2-21. Als Schnittstelle der Diode nach außen werden in der „Port“-Declaration<br />

innerhalb der „Entity“ mit „Terminal“ die Anschlussklemmen „anode“ und<br />

„cathode“ festgelegt.<br />

library IEEE, DISCIPLINES;<br />

use IEEE.math_real.all;<br />

use DISCIPLINES.electromagnetic_system.all;<br />

entity Diode is<br />

generic (<br />

iss : real := 1.0e-14;<br />

n, rs : real := 1.0;<br />

tt, cj0, vj : real := 0.0);<br />

port (terminal anode, cathode : electrical);<br />

end entity Diode;<br />

architecture level0 of Diode is<br />

quantity vd across id, ic through anode to cathode;<br />

quantity qc: charge;<br />

constant vt : real := 0.0258; -- thermal voltage<br />

begin -- Level0<br />

id == iss * (exp((vd-rs*id)/(n*vt)) - 1.0);<br />

qc == tt*id - 2.0*cj0 * sqrt(vj**2 - vj*vd);<br />

ic == qc'dot;<br />

end architecture level0;<br />

Bild 2.2-21: Modellbeschreibung einer Diode (level0) in VHDL-AMS<br />

Über Generic-Attribute in der „Entity“-Declaration sind die Modellparameter für<br />

das Diodenmodell erklärt und vorbesetzt. In der „Architecture“-Beschreibung lässt<br />

sich das elektrische Verhalten durch die Modellgleichungen für die Halbleiterdiode<br />

festlegen. Dazu kann u.a. eine Ladung (qc) definiert und deren Ableitung (qc´dot)<br />

gebildet werden. Zwischen den Anschlusspins „anode“ und „cathode“ werden mit<br />

quantity vd across id, ic through anode to cathode;<br />

die Spannung „vd“ von „anode“ nach „cathode“ und die beiden Zweigströme id<br />

und ic von „anode“ nach „cathode“ als Flussgrößen definiert. Die Modellgleichungen<br />

der Diode lauten schließlich:<br />

id == iss * (exp((vd-rs*id)/(n*vt)) - 1.0);<br />

qc == tt*id - 2.0*cj0 * sqrt(vj**2 - vj*vd);<br />

ic == qc'dot;<br />

mit „vt“ als Konstante für die Temperaturspannung definiert im Deklarationsteil<br />

der „Architecture“ und den Modellparametern „iss“, „rs“, „n“, „tt“, „cj0“, „vj“, die<br />

über die „Generic“-Deklaration in der „Entity“ erklärt und mit „Default“-Werten<br />

vorbesetzt werden.<br />

Als drittes Schaltkreiselement der Testschaltung in Bild 2.2-19 muss neben dem<br />

Modell für den Widerstand und die Diode ein Modell für die Spannungsquelle eingeführt<br />

werden. Bild 2.2-22 zeigt das Modell für eine DC-Spannungsquelle. Die<br />

Anschlussklemmen der Spannungsquelle werden als „Terminal“ vom Typ „electrical“<br />

mit „plus“ und „minus“ deklariert. Die Übergabe des DC-Wertes der Spannungsquelle<br />

erfolgt über ein „Generic“-Attribut.

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