Schaltungstechnik

Formelzeichen 615
VAR Parameter: Early-Spannung eines BJT im Inversbetrieb
V1 Spannungsquelle: Referenzbezeichner
Vi Knotenpotenzial: Spannung von Knoten i zum Bezugsknoten
V Spannungen von Knoten i zum Bezugsknoten in Vektorform
VJ Parameter: Diffusionsspannung eines pn-Übergangs
VJC Parameter: Diffusionsspannung der CB-Diode eines BJT
VJE Parameter: Diffusionsspannung der EB-Diode eines BJT
VJS Parameter: Diffusionsspannung der Substrat-Diode
VTO Parameter: Abschnürspannung eines FET
W Kanalbreite eines MOS-Transistors
XTI Parameter: Temperaturexponent des Sättigungssperrstroms IS
XTB Parameter: Temperaturkoeffizient der Stromverstärkung eines BJT
Z Impedanz
Z Zählerstand
Z, Z1 Impedanz; AC-Wert
Zid Impedanz; AC-Wert: Differenz-Eingangswiderstand
Za Impedanz; AC-Wert: Ausgangswiderstand
Z11´ Impedanz: AC-Wert zwischen Knoten 1 und 1´
0 Kleinsignal-Stromverstärkungsfaktor 0 =
quenzen
IC IE bei tiefen Fre-
0 Kleinsignal-Stromverstärkungsfaktor 0 quenzen
= IC IB bei tiefen Fre-
Transkonduktanzwert beim Feldeffekttransistor
Änderung einer Größe
r 0
Permittivitätszahl
– 12
Elektrische Feldkonstante 0 = 8 85410
As Vm
Wirkungsgrad bei Treiberstufen
Kanallängenmodulation
n r 0
Ladungsträgerbeweglichkeit der Elektronen
Permeabilitätszahl
– 6
Magnetische Feldkonstante 0 = 1256 10 Vs Am
Tastverhältnis = tp T
Dämpfungskonstante
Konstante = 3 1415926
Phasenwinkel
1Q U2 U
1
Phasenwinkel des komplexen Ausdrucks 1/Q
Phasenwinkel des komplexen Ausdrucks U2/U1 Laplacetransformierte eines Phasenwinkels
Kreisfrequenz = 2 f
n Eigenkreisfrequenz