Schaltungstechnik

614 Formelzeichen
S1 Spannungsgesteuerter Schalter: Referenzbezeichner
T Temperatur in oC bzw. absolut in K
Tj Sperrschichttemperatur eines Halbleiters
Tjmax Maximal zulässige Sperrschichttemperatur eines Halbleiters
TG Gehäusetemperatur
TF Parameter: ideale Vorwärts-Transitzeit eines BJT
TR Parameter: ideale Rückwärts-Transitzeit eines BJT
TT Parameter: ideale Transitzeit einer Diode
TU Umgebungstemperatur
t Zeit
td Verzögerungszeit
tf Schaltzeit: Abschaltzeit
tp Pulsdauer
tr Schaltzeit: Einschaltzeit
T Periodendauer
U Spannung; DC-Wert bzw. statischer Wert, Amplitude
U (A)
Spannung im Arbeitspunkt
U, U1 Spannung; komplexer Zeiger: AC-Wert
U11´ Spannung; komplexer Zeiger: AC-Wert zwischen Knoten 1 und 1´
u, u1 Spannung; zeitlicher Momentanwert: TR-Wert
u Knotenspannung bzw. Zweigspannung in Vektorform; zeitl. Momentanwert
UB’E Spannung von der inneren Basis B’ zum Emitter E
ü Übertrager: Übersetzungsverhältnis
ü Schalttransistor: Übersteuerungsfaktor
UI0 Parameter: DC-Offsetspannung
Uid Eingangsdifferenzspannung
Uid Eingangsdifferenzspannung; komplexer Zeiger
2
Ur df
Spektrales Rauschspannungsquadrat
Ur Up US UT U1
Rauschspannung (quadratischer Mittelwert)
Schwellspannung eines FET (UP = VTO)
Schwellspannung einer Diode
Parameter: Temperaturspannung kT/e = 26mV bei Normaltemperatur
Referenzbezeichner einer Logikfunktion
v Verstärkung
v Komplexer Wert der Verstärkung
vud0 Differenz-Spannungsverstärkung bei tiefen Frequenzen
vud Komplexe Differenz-Spannungsverstärkung
vug Gleichtakt-Spannungsverstärkung
v21 Komplexe Verstärkung von Knoten 1 nach Knoten 2
VA Parameter: Early-Spannung eines BJT
VAF Parameter: Early-Spannung eines BJT im Normalbetrieb