Schaltungstechnik

Formelzeichen 613
MJS Parameter: Gradationskoeffizient der Substrat-Diode
M (...) Modellparametersatz
M Übertrager: Gegeninduktivität
M Modulationsindex
M1 Isolierschicht-Feldeffekttransistor: Referenzbezeichner
N Parameter: Emissionskoeffizient eines pn-Übergangs (idealtyp. Diode)
NR Parameter: Emissionskoeffizient eines pn-Übergangs (Korrektur-Diode)
NC Parameter: Emissionskoeffizient der CB-Diode eines BJT
NE Parameter: Emissionskoeffizient der EB-Diode eines BJT
NS Parameter: Emissionskoeffizient der Substrat-Diode
pi komplexe Nullstellen
P komlexer Zählerausdruck in der Frequenzbereichsdarstellung
P Leistung; Mittelwert
PI Impulsverlustleistung
PN Nennverlustleistung
PV Verlustleistung
PVmax Maximal zulässige Gesamtverlustleistung
p Leistung; zeitlicher Momentanwert
P r
Rauschleistung
dPr/df Spektrale Rauschleistungsdichte
PER Parameter: Pulsperiode
PW Parameter: Pulsweite
1/Q komlexer Nennerausdruck in der Frequenzbereichsdarstellung
qi komplexe Polstellen
Q, Q0 Güte eines Resonators
Q1 Bipolartransistor: Referenzbezeichner
Q DE
Diffusionsladung eines BJT
q Elementarladung eines Elektrons: e = 1.6E-19As
rb, RB Basisbahnwiderstand eines BJT
RBM Parameter: Minimaler Bahnwiderstand eines BJT
rD Differenzieller Widerstand einer Diode im Arbeitspunkt
re Differenzieller Widerstand der Emitter-Basis Diode im Arbeitspunkt
r 0
Early-Widerstand eines BJT
R1 Ohmscher Widerstand: Referenzbezeichner
RL* Wirksamer Lastwiderstand; Zusammenfassung wirksamer Widerstände
RS Parameter: Bahnwiderstand einer Diode
Rth Wärmewiderstand
Rth,jG Wärmewiderstand zwischen „Junction“ und Gehäuse
Rth,jU Wärmewiderstand zwischen „Junction“ und Umgebung
Rth,GK Wärmewiderstand zwischen Kühlkörper und Gehäuse
rth,jG Dynamischer Wärmewiderstand zwischen „Junction“ und Gehäuse
rth,jU Dynamischer Wärmewiderstand zwischen „Junction“ und Umgebung
s komplexe Frequenz s =
j(ohne
Realteil)
s „free“ Quantity