Schaltungstechnik

Formelzeichen
a Schalttransistor: Ausräumfaktor
A
AF AL B
B
Parameter: Stromverstärkungsfaktor beim Transistor A=IC /IE Parameter: „Flicker“ Rauschen, Exponent
Induktivität pro Windungsquadrat
Parameter: Stromverstärkungsfaktor beim Transistor B=IB /IC Bandbreite
Br Äquivalente Rauschbandbreite; z.B. Bandbreite der Leistungsverstärkung
BETA PSpice-Parameter: Transkonduktanzkoeffizient, BETA = /2
BF Parameter: Maximale Stromverstärkung im Normalbetrieb eines BJT
BR Parameter: Maximale Stromverstärkung im Inversbetrieb eines BJT
bi Binärer Wert
BV Parameter: Durchbruchspannung eines pn-Übergangs
C Verhältniszahl
CMRR Parameter: Gleichtaktunterdrückung
C1 Kapazität: Referenzbezeichner
Coo Koppelkapazität: Kurzschluß im Betriebsfrequenzbereich
CD Kapazität: Diffusionskapazität eines pn-Übergangs
Cj Kapazität: Sperrschichtkapazität eines pn-Übergangs
CJ0 Parameter: Sperrschichtkapazität eines pn-Übergangs bei 0V
CJC Parameter: Sperrschichtkapazität der CB-Diode eines BJT bei 0V
CJE Parameter: Sperrschichtkapazität der EB-Diode eines BJT bei 0V
CJS Parameter: Substratkapazität eines pn-Übergangs bei 0V
CGD Parameter: Gate-Drain Kapazität eines FET
CGS Parameter: Gate-Source Kapazität eines FET
CDS Parameter: Drain-Source Kapazität eines FET
c0 D
Lichtgeschwindigkeit c0 = 2.997925m/s
Digitalwort
D1 Diode: Referenzbezeichner
dB Logarithmisches Maß einer Verhältniszahl a in dB: 20log(a)
dBm Logarithmisches Maß einer Leistung a bezogen auf 1mW: 10log(a/1mW)
E1 Spannungsgesteuerte Spannungsquelle: Referenzbezeichner
e Konstante: e = 2.7182818
e Elementarladung 1,602E-19As
EG Parameter: Bandabstand (bei Si ist EG = 1,11eV)
F Rauschzahl
F1 Stromgesteuerte Stromquelle: Referenzbezeichner
FC Parameter: Koeffizient zur Beschreibung der Spannungsabhängigkeit der
Sperrschichtkapazität Cj eines pn-Übergangs
ƒ Frequenz (allgemein)
ƒg, ƒ1, ƒ2 Eckfrequenzen