Schaltungstechnik

Übung 8 Feldeffekttransistorschaltungen 595
U 1
Z 2
Bild Ü8-3: P-JFET als Sourcefolger mit Konstantstromquelle zur Arbeitspunkteinstellung
Experiment Ü8-3: Sourcefolger; DC/AC-Analyse mit dem jeweiligen
Simulation Profile.
Experiment Ü8-3b: Kennlinien des P-Kanal FET; DCSweep-Analyse mit
dem Simulation Profile „DCSweep“.
Experiment Ü8-3c: Testbench für die Ermittlung des Innenwiderstands des
Sourcefolgers; AC-Analyse mit dem Simulation Profile „AC“.
Ü8.4 NMOS-Verstärker mit Stromquelle im Lastkreis
DC-Analyse:
a) Bestimmen Sie die Arbeitspunkte der Feldeffekttransistoren. Geben Sie für die
graphische Lösung eine Testbench für den NMOS Transistor zur Ermittlung der
Übertragungskennlinie an. Wie groß ist der Aussteuerbereich an Knoten 2 ?
AC-Analyse:
b) Der Innenwiderstand des NMOS Feldeffekttransistors beträgt rDS,J1 = 1M.
Ermitteln Sie die Verstärkung von Knoten 1 nach Knoten 2. Wie groß ist die Zweigimpedanz
Z2? c) Bestimmen Sie den Eingangswiderstand Z1. Experiment Ü8-4: DC/AC-Analyse mit dem jeweiligen Simulation Profile.
U 2