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Schaltungstechnik

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8.3 Abtasthalteschaltungen 555<br />

5V<br />

2,5V<br />

0V<br />

1V<br />

0V<br />

-1V<br />

0s<br />

u St<br />

u 1<br />

u 2<br />

0,2s 0,4s 0,6s 0,8s 1s<br />

Bild 8.3-3: Ergebnis der Abtasthalteschaltung mit einem gesteuerten MOS-Schalter<br />

Eine mögliche Offsetspannung des ausgangsseitigen Verstärkers in Bild 8.3-2 kann<br />

durch eine Gegenkopplungsmaßnahme (siehe Bild 8.3-4) unterdrückt werden. Bei<br />

geschlossenem MOS-Schalter ist U 2 = U 1. Dadurch wird ein Offsetfehler ausgeglichen.<br />

Die Dioden D1 und D2 sperren in diesem Zustand. Mit den Dioden D1 und<br />

D2 wird eine Übersteuerung des eingangsseitigen Verstärkers bei offenem Schalter<br />

vermieden. Bild 8.3-4 zeigt eine Abtasthalteschaltung mit Gegenkopplung vom<br />

Ausgang zum Eingang, die im nachstehenden Experiment untersucht werden kann.<br />

Experiment 8.3-3: S-H_Schaltung mit Impedanzwandlern und einer<br />

Gegenkopplung zum Ausgleich einer Offsetspannung<br />

Bild 8.3-4: Abtasthalteschaltung mit eingangs-und ausgangsseitigem Impedanzwandler und<br />

Gegenkopplung vom Ausgang zum Eingang<br />

Für schnelle Abtastvorgänge verwendet man anstelle von MOS-Schaltern oder<br />

FET-Schaltern Diodenbrücken. Mit schnellen Schaltdioden (Schottky-Dioden) las-

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