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Schaltungstechnik

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504 7 Gemischte Funktionsprimitive und Funktionsschaltungen<br />

dem von Q17, da der Transistor Q15 einen wesentlich kleineren Kollektorstrom<br />

(hier ca. 0,02mA) zieht. Wegen der Unsymmetrie im Steuerkreis von Q10 verursacht<br />

durch R4 ist der Arbeitspunktstrom von Q10 sehr viel kleiner als der bereits<br />

bekannte Arbeitspunktstrom von Q11 (siehe Bild 7.5-1 in Abschnitt 7.2.1). Für<br />

Q10 ergibt sich demnach ein Arbeitspunktstrom von ca. 20A. Bei genügend hoher<br />

Stromverstärkung der Transistoren Q3 und Q4 ist somit der Arbeitspunktstrom von<br />

Q9 und Q8 auch jeweils ca. 20A. Ist die Eingangsdifferenzspannung U11’ = 0, das<br />

heißt ohne Eingangaussteuerung ergibt sich für die Transistoren Q1, Q2, Q3, Q4,<br />

Q5 und Q6 ein Arbeitspunktstrom von jeweils 10A. Der Transistor Q7 stellt einen<br />

„aktiven“ Kurzschlussbügel dar (siehe Bild 7.2-3 in Abschnitt 7.2.1), er hat ansonsten<br />

keinen Einfluss auf die übrigen Arbeitspunktströme. Aufgrund der Vorspannung<br />

erzeugt durch die Spannungsquelle (siehe Abschnitt 5.3.4) gebildet aus R7,<br />

R8 und Q16, arbeiten die Transistoren Q14 und Q20 im AB-Betrieb (siehe<br />

Abschnitt 7.4.2). Die Transistoren Q15 und Q22 dienen zur Ausgangsstrom-<br />

Begrenzung. Bei nicht zu niederohmigen Lastverhältnissen sind Q15 und Q22<br />

gesperrt und damit unwirksam. Nur wenn z.B. der Spannungsabfall an R9 aufgrund<br />

steigenden Ausgangsstroms etwa 0,7V erreicht, wird Q15 aktiv und nimmt dem<br />

Ausgangstransistor Q14 die Ansteueuerung weg; die Ausgangsstrombegrenzung<br />

wird damit wirksam.<br />

Insgesamt lässt sich feststellen, dass alle Transistoren im Normalbetrieb arbeiten.<br />

Lediglich die Transistoren Q15 und Q22 sind bei genügend hochohmigen<br />

Lastverhältnissen gesperrt; die Transistoren Q14 und Q20 sind im AB-Betrieb. Der<br />

Arbeitspunktstrom der Transistoren der ersten Verstärkerstufe Q1, Q2, Q3, Q4, Q5<br />

und Q6 liegt bei ca. 10A. Bei Annahme einer Stromverstärkung von B = 100 der<br />

Transistoren Q1 und Q2 erhält man einen Eingangsruhestrom von 100nA, was mit<br />

den Datenblattangaben sehr gut übereinstimmt. Bei unterschiedlicher Stromverstärkung<br />

von Q1 und Q2 ergeben sich ungleiche Eingangsruheströme an den beiden<br />

Eingängen 1 und 1’ und damit ein Offsetstrom. Unterschiedliche Transportsättigungssperrströme<br />

IS der Transistoren Q1, Q2, Q3 und Q4 begründen ungleiche<br />

Spannungen UBE. Dieser Sachverhalt verursacht eine Eingangs-Offsetspannung.<br />

Als Ergebnis der Betrachtungen bestimmen sich die Eingangsruheströme und die<br />

Eingangs-Offsetspannung aus den nachstehenden Beziehungen.<br />

IIB+ = 10A BQ1; IIB- = 10A BQ2; 4<br />

(7.5-1)<br />

UIO = UBE Qi;<br />

<br />

1<br />

AC-Verhalten der ersten Stufe: Die erste Verstärkerstufe bestehend aus Q1<br />

bis Q6 ist eine Kaskode-Differenzstufe (Q1 bis Q4) mit aktivem Lastkreis (Q5, Q6)<br />

gemäß Bild 7.1-40 in Abschnitt 7.1.3. Der differenzielle Widerstand der Emitter-<br />

Basis-Diode von Q1 bis Q6 liegt bei re = 2,6k. Damit erhält man für die Steilheit<br />

von Q4 und Q6 den Wert gm = 1/2,6k. Der Eingangswiderstand der ersten Verstärkerstufe<br />

liegt bei 4 re 0+ 1<br />

<br />

1M.<br />

Bei einer angenommenen Stromverstärkung<br />

von 0 = 100 ergibt sich der angegebene Wert für den Eingangs-

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