Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

5. Wachstum von PTCDA auf passivierten Siliziumoberflächen
5.4.2. Strukturelle Untersuchungen
Während im vorherigen Teilabschnitt das Augenmerk auf den Wechselwirkungen zwischen
den Molekülen und dem Substrat lag, soll in diesem Abschnitt die Struktur der
Moleküle auf der Oberfläche diskutiert werden.
Abb. 5.4.7: Beugungsbild der reinen
Si(111) √ 3 × √ 3R-30 ◦ -Bi-Oberfläche bei
34eV.
Abb. 5.4.8: Beugungsbild von PTCDA
auf der Si(111) √ 3 × √ 3R-30 ◦ -Bi-Oberfläche
(1ML, 34eV).
In Abb. 5.4.7 ist das Beugungsbild der reinen Si(111) √ 3 × √ 3 R-30◦-Bi-Oberfläche dargestellt. Aufgrund der niedrigen Energie können nur die 1-Reflexe
dieser Struktur
3
beobachtet werden. Nach der Deposition von 1 ML PTCDA sind die Reflexe der √ 3-
Struktur noch stark ausgeprägt. Zusätzlich können scharf ausgeprägte Beugungsreflexe,
welche konzentrisch um den (00)-Reflex angeordnet sind, unterschiedlicher Intensitäten
beobachtet werden (siehe Abb. 5.4.8). Die sechszählige Symmetrie des Beugungsbildes
lässt sich wiederum durch die Symmetrie des Substrates erklären. Genau wie die
Si(111) √ 3× √ 3 R-30◦-Ag-Oberfläche weist auch die Si(111) √ 3× √ 3 R-30◦-Bi-Oberfläche eine C3v-Symmetrie auf. Die intensitätsstarken Reflexe zeigen wieder die bekannte dreieckige
Anordnung der Reflexe und können durch eine HB-Struktur erklärt werden (siehe
Abb. 5.4.8). Die aus dem Beugungsbild bestimmten Längen der Gittervektoren (siehe
Tab. 5.4.3) zeigen eine leicht größere Einheitszelle im Vergleich zur α- oder β-Phase
des Volumen-PTCDA (α:(19,98×11,96) Å2 , β:(19,30×12,45) Å2 [102]). Wird der in Abb.
5.4.8 gelb markierte Bereich genauer betrachtet (siehe Abb. 5.4.9), so ist aus dem Beugungsbild
ersichtlich, dass die (10)- und (01)-Reflexe (grün) nicht komplett ausgelöscht
sind. Dies weist darauf hin, dass der Winkel zwischen Einheitsvektoren nicht genau 90◦ 82