Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

Bindungsenergie (eV)
99.1
99.0
98.9
98.8
98.7
5.4. Adsorption von PTCDA auf Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi
Intensität (arb. units)
104 102 100 98
Bindungsenergie (eV)
Si2p
0 2 4 6 8 10 12
Bedeckung (ML)
Abb. 5.4.6: Bindungsenergie der Si2p-Emissionslinie in Abhängigkeit von der Bedeckung.
vermuten, dass Wechselwirkungen zwischen den Carbonylsauerstoffen und dem Substrat
in Form eines charge-transfers vom Substrat vorliegen. Ein solches Signal wurde ebenfalls
von Gustafsson et al. [86] bei der Adsorption von PTCDA auf Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Ag
beobachtet. Sie beobachteten auch ein um etwa -1 eV zur Carbonylemission verschobenes
Signal, welches mit zunehmender Bedeckung an Intensität verliert. Auch sie interpretieren
dieses Signal als Wechselwirkung zwischen den Carbonylsauerstoffen des Moleküls
und dem Substrat in Form eines charge-transfers.
In Abb. 5.4.6 sind die Bindungsenergie der Si2p-Emissionslinie in Abhängigkeit des Bedeckungsgrades
sowie ein exemplarischer Fit der Si2p-Emissionslinie dargestellt. Aufgrund
der deutlich höheren Intensität der Emissionslinie werden statistische Schwankungen
verringert, weshalb sie genauer angefittet werden kann. Daher wird hier ein geringerer
Fehler für die Bindungsenergie angenommen (±0,05eV ). Im Bereich bis zu 1 ML ist eine
geringfügige Verschiebung zu höheren Bindungsenergien zu erkennen. Die Verschiebung
zu höheren Bindungsenergien ist konsistent mit dem angenommenen charge-transfer von
den Carbonylsauerstoffen ins Substrat.
Weiterhin wurde die Bi4f7/2-Emissionslinie in Abhängigkeit der Bedeckung analysiert. Im
Rahmen des Fehlers zeigt die Emissionslinie keinen Bindungsenergieshift (siehe Anhang,
Tab. A.1.1), was auf keine starken Wechselwirkungen zwischen dem Bismut und dem
PTCDA hindeutet.
96
81