Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

5.4. Adsorption von PTCDA auf
Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi
5.4. Adsorption von PTCDA auf Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi
Gegenstand dieses Kapitels sind erstmalige Untersuchungen zum Adsorptionsverhalten
von PTCDA auf der Si(111) √ 3 × √ 3 R-30 ◦ -Bi-Oberfläche. Hierbei werden sowohl die
Molekül-Substrat-Wechselwirkungen als auch strukturelle und morphologische Aspekte
der dünnen Filme diskutiert. Im weiteren Verlauf wird noch der Einfluss der Substrattemperatur
auf die Strukturen der adsorbierten Moleküle analysiert. Die experimentellen
Details zu den Messungen sind in Abschnitt 4.3 angegeben.
5.4.1. Molekül-Substrat-Wechselwirkungen
In diesem Teilabschnitt werden XPS-Messungen an dünnen PTCDA-Filmen präsentiert
die bei Raumtemperatur aufgedampft wurden. Die Kalibrierung der Bindungsenergie
aller Spektren erfolgte anhand der Mo 3d5/2-Emssionslinie (228,0 eV [36]) des
Probenhalters, welche vor jeder Messung aufgenommen wurde. In Abb. 5.4.1 sind die
Bereiche der C1s- und O1s-Emission für 10 ML PTCDA mit hoher Auflösung gezeigt.
Das Kohlenstoffspektrum (siehe Abb. 5.4.1 (a)) wird von zwei Signalen (285,1 eV und
288,8 eV) dominiert. Das stärkere der beiden Signale stammt von den Kohlenstoffatomen
des Perlyengerüstes (blau), während das andere Signal von den Carbonylkohlenstoffen
der Anhydridgruppen verursacht wird (grün). Die Bindungsenergien der C1s-
Intensität (arb. units)
294
C aryl
π-π* C=C(1)
π-π* C=O
C carbonyl
π-π* C=C(2)
Untergrund
Daten
Fit
292
290 288 286
Bindungsenergie [eV]
284
C1s
282
(a) C1s-Emissionslinie eines 10ML dicken
PTCDA-Films.
Intensität (arb. units)
540
O carbonyl
O anhydrid
π-π* C=O
π-π* C-O-C
Untergrund
Daten
Fit
538
536 534 532
Bindungsenergie (eV)
530
O1s
528
(b) O1s-Emissionslinie eines 10ML dicken
PTCDA-Films.
Abb. 5.4.1: XP-Spektren eines 10ML dicken PTCDA-Films auf der Si(111) √ 3 × √ 3R-30 ◦ -Bi-
Oberfläche. Die experimentellen Spektren wurden mit Voigt-Profilen angepasst.
75