Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

5. Wachstum von PTCDA auf passivierten Siliziumoberflächen
sind alle Reflexe bestimmter Rotationsdomänen
stark ausgeprägt, während Reflexe anderer
Rotationsdomänen fast nicht mehr beobachtet
werden können. Dies deutet daraufhin,
dass wiederum einige Rotationsdomänen vermehrt
auftreten, während andere nur noch vereinzelt
auf der Oberfläche anzutreffen sind. Betrachtet
man die Reflexe, die zur dritten HB-
Struktur (siehe Abb. 5.3.15,rot) gehören, so ist Abb. 5.3.15: Detaillierter Ausschnitt des
auch hier ein deutlicher Intensitätsunterschied Beugungsbildes von 3ML PTCDA.
zu beobachten und somit eine unterschiedliche
Verteilung der Rotationsdomänen auf der Oberfläche. Diese Intensitätsunterschiede in
den Reflexen einer HB-Struktur werden auch von Kilian et al. [9] auf Au(111) beobachtet,
jedoch geben auch sie keine Erklärung, weshalb diese Unterschiede zustande
kommen. Diese Ergebnisse bestätigen die Annahme, das die verwendete Si(111)-Probe
höchstwahrscheinlich einen Symmetriebruch aufwies.
Weiterhin zeigt sich, dass bei einer Bedeckung von 3 ML die Reflexe der unbekannten
Struktur so gut wie nicht mehr zu beobachten sind. Dies führt zu dem Schluss, dass diese
Struktur durch Wechselwirkung zwischen dem Substrat und den Molekülen verursacht
wird. Jede weitere Lage nach der ersten Monolage weist immer geringere Wechselwirkungen
zum Substrat auf, weshalb sich diese Struktur bei höheren Bedeckungen nicht
mehr ausbildet.
Weiterhin ist bei einer Bedeckung von 3 ML zu beobachten, dass die Reflexe der √ 3-
Struktur fast komplett verschwunden sind. Dies deutet auf ein homogenes Schichtwachstum
hin und ist in guter Übereinstimmung mit den Ergebnissen von Gustafsson et
al. [88], die ein Lage-für-Lage-Wachstum bis zu 10 ML beobachtet haben.
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