Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

5. Wachstum von PTCDA auf passivierten Siliziumoberflächen
Abb. 5.3.13: Beugungsbilder für ausgewählte Bedeckungen des PTCDA (30eV).
HB-Struktur im Vergleich zu den anderen beiden HB-Strukturen deutlich zugenommen.
Der Umstand, dass die Beugungsreflexe dieser Struktur erst bei 0,7 ML beobachtet werden
können und mit zunehmendem Bedeckungsgrad an Intensität gewinnen, weist darauf
hin, dass diese Struktur möglicherweise erst ab der zweiten Lage wächst. Dass die Reflexe
schon ab einer Bedeckung von 0,7 ML beobachtet werden können, kann darin begründet
liegen, dass sich bei dieser Menge schon kleine Bereiche der zweiten Lage ausbilden, die
diese Struktur aufweisen.
Weiterhin lässt sich beobachten, dass die Beugungsreflexe der quadratischen Struktur bei
3 ML nicht mehr alle gleich intensiv sind, sondern eine der Rotationsdomänen deutlich
intensivere Beugungsspots zeigt. Dies kann darauf zurückgeführt werden, dass die Symmetrie
des Substrates bei höheren Bedeckungen einen nicht mehr so starken Einfluss auf
das Wachstum der Moleküle hat wie in den ersten Lagen. Dies hat zur Folge, dass sich
eine der Rotationsdomänen bevorzugt ausbildet, was zu intensiveren Beugungsreflexen
führt. Warum sich eine dieser Rotationsdomänen bevorzugt ausbildet, kann aus den hier
vorliegenden Daten nicht vollständig geklärt werden. Eine denkbare Möglichkeit wäre,
dass die für die 3 ML verwendete Probe einen Symmetriebruch der Substratoberfläche
besitzt. Betrachtet man zusätzlich noch die Domänengrößen der einzelnen Rotationsdomänen,
welche aus den Halbwertsbreiten der Reflexe bestimmt werden, so zeigt sich, dass
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