Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

5. Wachstum von PTCDA auf passivierten Siliziumoberflächen
Abb. 5.3.9: Beugungsbilder von PTCDA auf
Si(111) √ 3× √ 3R-30 ◦ -Ag (30eV, 1,2ML) mit
eingezeichneter reziproker Einheitszelle der
UK-Struktur.
Abb. 5.3.10: Vergleich der geometrischen Si-
mulation mit dem experimentellen Beugungs-
bild (S: gelb, HB1: lila, HB2: grün, HB3: tür-
kis, UK: rot).
Schluss wird weiterhin von ihren eigenen LEED-
Untersuchungen gestützt [89]. In dieser Arbeit zeigen sie,
dass die Beugungsreflexe dieser Struktur schon ab einem
Bedeckungsgrad von 1,2 ML auftreten.
Neben der quadratischen und den HB-Strukturen kann
noch eine dritte Struktur (UK), welche eine schiefwinkelige
Einheitszelle aufweist, bestimmt werden. In Abb. 5.3.9
ist die reziproke Einheitszelle in das Beugungsbild eingezeichnet.
Die Gittervektoren sind im Rahmen des Fehlers
gleich lang und schließen einen Winkel von (119,6±0,5) Abb. 5.3.11: Vergrößertes Beugungsbild
von einem in der Abb.
5.3.7 blau markierten Bereich.
◦
ein (siehe Tab. 5.3.1). Weder Swarbrick et al. [87] noch
Gustafsson et al. [88] berichten von einer dritten Struktur
mit diesen Abmessungen. Swarbrick et al. [87] beobachteten
zwar noch eine hexagonale Struktur, jedoch bestimmen
sie die Gittervektoren dieser Struktur zu ca. 11,5 Å und entsprechen somit nicht
den Abmessungen der UK-Struktur. Aufgrund der verwendeten Messmethode (STM) ist
es jedoch nicht auszuschließen, dass sie diese Struktur übersehen haben. Des Weiteren
ist eine Struktur mit diesen Eigenschaften für das PTCDA noch völlig unbekannt und
wurde weder auf Metall- noch auf Halbleitersubstraten beobachtet. Aufgrund der geringen
Intensität der Reflexe ist es möglich, dass diese Struktur an Domänengrenzen, z.B.
zwischen der quadratischen und der HB-Struktur, auftritt. Ohne weitere Informationen
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