Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

Intensität (arb. units)
0.760 Å -1
Abstand (Å -1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
)
5.3. Adsorption von PTCDA auf Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Ag
Abb. 5.3.4: Linienprofil entlang der in Abb.
5.3.3(a) gekennzeichneten weißen Linie.
Methode darstellt als das STM. Wird die √ 3 × √ 3-Überstruktur des Silbers als Basis
genommen, so ergibt sich für diese Struktur des PTCDA eine Überstrukturmatrix von:
� �
2,68±0,01 1,97±0,01
M =
. (5.3.2)
0,73±0,01 −1,97±0,01
Anhand der Überstrukturmatrix und unter Berücksichtigung der STM-Ergebnisse [87]
ergibt sich der schematische Strukturvorschlag für die quadratische Struktur mit zwei
Molekülen pro Einheitszelle (siehe Abb. 5.3.5).β bezeichnet hierbei den Winkel zwischen
b 2
β
Ag Si
b 1α
a 2
a 1
Abb. 5.3.5: Schematischer Strukturvor-
schlag für die quadratische Struktur auf
der Si(111) √ 3 × √ 3R-30 ◦ -Ag-Oberfläche
(HCT-Modell).
Abb. 5.3.6: Vergleich der geometrischen Si-
mulation der quadratischen Struktur mit dem
experimentellen Beugungsbild.
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