Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...
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5. <strong>Wachstum</strong> von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong><br />
passivierten Siliziumoberflächen<br />
5.1. Stand der Wissenschaft<br />
Hirose et al. [79] untersuchten 1995 die Adsorption von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong> verschiedenen GaAs-<br />
Oberflächen. Ihre LEED-Untersuchungen zeigten, dass ein geordnetes <strong>Wachstum</strong> von<br />
<strong>PTCDA</strong> ausschließlich <strong>auf</strong> der Se-passivierten GaAs(001)(2×1)-Oberfläche zu beobachten<br />
ist. Aus den LEED-Bildern bestimmten sie eine rechteckige Einheitszelle, welche eine<br />
gute Übereinstimmung mit der Einheitszelle der (102)-Ebene des Volumenkristalles des<br />
<strong>PTCDA</strong> (herringbone-Struktur (HB)) <strong>auf</strong>weist. Die fehlende Ordnung <strong>auf</strong> unpassivierten<br />
GaAs-Oberflächen führten sie <strong>auf</strong> eine starke Wechselwirkung zwischen den Molekülen<br />
<strong>und</strong> dem Substrat zurück. Noch im gleichen Jahr präsentierten Taborski et al. [80]<br />
NEXAFS-Analysen von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong> der Si(111)-Oberfläche. Sowohl ihre NEXAFS- als<br />
auch ihre LEED-Untersuchungen zeigten eine ungeordnete Adsorption der Moleküle.<br />
Analog zu Hirose et al. [79] führten sie die fehlende Ordnung <strong>auf</strong> eine zu starke Wechselwirkung<br />
zwischen den Molekülen <strong>und</strong> dem Substrat zurück.<br />
Gustafsson et al. [12,13] analysierten einige Jahre später das Adsorptionsverhalten von<br />
<strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong> unpassivierten <strong>und</strong> Wasserstoff-passivierten Si(001)-Oberflächen. Auch ihre<br />
Untersuchungen mit den verschiedensten Messmethoden führten zu dem Ergebnis, dass<br />
ein geordnetes <strong>Wachstum</strong> nur <strong>auf</strong> der passivierten Silizium-Oberfläche zu erzielen ist.<br />
Aus dem Vergleich der Si2p-Emissionslinie folgerten sie, dass die fehlende Ordnung <strong>auf</strong><br />
der unpassivierten Oberfläche durch eine starke Wechselwirkung zwischen den DB des<br />
Substrates <strong>und</strong> den Molekülen verursacht wird.<br />
Soubiron et al. [81] analysierten das <strong>Wachstum</strong> <strong>auf</strong> der ebenfalls unpassivierten Si(100)-<br />
Oberfläche mittels STM. Sie beobachteten ein völlig ungeordnetes <strong>Wachstum</strong> der Moleküle<br />
in den ersten Lagen mit anschließendem Inselwachstum. Ihre Untersuchungen<br />
zeigten, dass in der ersten Lage eine starke Wechselwirkung zwischen den Carbonylsauerstoffatomen<br />
der Anhydridgruppe <strong>und</strong> den Siliziumdimeren der Oberfläche stattfindet.<br />
Weiterhin konnten sie <strong>auf</strong> den Inseln eine geordnete Struktur nachweisen, welche der<br />
Anordnung der Moleküle in der (102)-Ebene des <strong>PTCDA</strong> Volumenkristalls entspricht.<br />
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