Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

4. Experimentelle Details
Das Bedampfen der Oberfläche mit Silber, PTCDA oder Bismut erfolgte mit Hilfe eines
nach dem Knudsen-Prinzip aufgebauten Verdampfers (siehe Abb. 4.3.3). In einem
nichtleitfähigen Al2O3-Tiegel, welcher mit einem Wolframdraht umwickelt ist, befindet
sich das zu verdampfende Material. Durch einen Stromfluss durch das Filament wurde
der Tiegel und somit das zu verdampfende Material erwärmt. Um eine Erwärmung der
Umgebung zu vermeiden und einen konstanten Verdampferfluss zu gewährleisten, wurde
ein wassergekühltes, aus Kupfer bestehendes Strahlungsschild verwendet. Eine Einengung
des Raumwinkelbereiches wurde über eine Blende über dem Tiegel realisiert. Um
eine definierte Bedampfung zu gewährleisten, konnte die Austrittsblende mittels eines
Shutters geöffnet und geschlossen werden.
Um die Si(111) √ 3× √ 3 R-30◦-Ag Oberfläche herzustellen, wurde Silber bei einer Substrattemperatur
von 450◦C für zehn Minuten angeboten. Diese Zeit gewährleistete, dass
die Sättigungsbedeckung von 1 ML Ag erreicht wurde. Die Präparation der Bismut terminierten
√ 3 × √ 3-Oberfläche erfolgte bei einer Substrattemperatur von 480◦C und
einem zehn minütigen Angebot von Bismut. Diese Zeit gewährleistete, dass die Sättigungsbedeckung
von 2 ML Bi erreicht wurde.
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Die PTCDA Depositionsrate betrug bei allen Messungen 0,5 ML/10 Min und die
PTCDA-Bedeckung wurde aus dem Vergleich C1s- und Si2p-Emissionslinien mittels
XPS bestimmt. Für die so bestimmten Schichtdicken wurde ein Fehler von 5 % angenommen.
Die Substrattemperatur betrug bei allen Untersuchungen Raumtemperatur.
Ausschließlich bei den Experimenten in Abschnitt 5.4.5 betrug die Substrattemperatur
140◦C. 4.3.3. Präparation der GaN-Proben
Als Substrat dienten mittels MOVPE gewachsene (AG Hommel), n-dotierte GaN(0001)-
Template. Je nach Probenhalter betrug die maximale Probengröße 10×10 mm 2 . Nach
dem Transfer ins Vakuum wurden die Proben für mindestens zwölf Stunden bei 750 ◦ C
ausgegast. Anschließend erfolgte ein Ga-Deposition/Desorption-Schritt wie er in Abschnitt
4.3.1 beschrieben ist.
Die PTCDA Depositionsrate betrug bei allen Messungen 0,5 ML/5 Min und die PTCDA-
Menge wurde mit dem STM bestimmt. Die Schichtdickenbestimmung über die Abschwächung
der XPS-Signale ist bei diesem System nicht geeignet, da sich hohe PTCDA-Inseln
ausbilden (vergleiche Abschnitt 7.2). Dadurch ist das XPS-Signal nicht mehr aussagekräftig
und würde zu falschen Annahmen über die Schichtdicke führen. Für die mit dem
STM bestimmten Schichtdicken wurde ein Fehler von 12 % angenommen. Die Substrattemperatur
betrug bei allen Untersuchungen Raumtemperatur.
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