Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

4.3. Probenpräparation
375 ◦ C, gefolgt von einer 10 minütigen Plasmabehandlung bei 700 ◦ C Substrattemperatur.
Vorherige Untersuchungen zeigten, dass diese Art der Plasmabehandlung zu einer
Verbesserung der Oberflächenmorphologie führte [75]. Beide Reinigungszyklen werden
durch einen längeren Heizschritt (etwa 14 Stunden) abgeschlossen. Wie den Schemata in
Abb. 4.3.2 entnommen werden kann, wurden sämtliche Reinigungsschritte durch XPSund
LEED-Messungen dokumentiert. Zusätzlich wurden vor und nach der Reinigung
STM-Untersuchungen durchgeführt. Abweichungen der Zyklen werden in den relevanten
Kapiteln angegeben.
4.3.2. Präparation der Si(111)-Proben
Durchführung
Shutterkontrolle
Wasserkühlung
Flansch
Cu-Strahlungsschild + Shutter
Al2O3 Tiegel + W Filament
Abb. 4.3.3: Verdampfer nach dem Knudsen-Prinzip (nach [76]).
Die Präparation der Proben erfolgte in den UHV-Anlagen am Institut für Festkörperphysik
der Universität Bremen. Ein kommerzieller Siliziumwafer in (111)-Orientierung mit
einem Fehlschnitt (miscut) von 0.2 ◦ wurde als Substrat verwendet. Je nach Probenhalter
betrug die maximale Probengröße (10×10) mm 2 . Zum Entfetten und zur Entfernung
makroskopischer Verunreinigungen wurden die Proben mittels Methanol gereinigt. Nach
dem Transfer in das Vakuumsystem wurden die Proben für mindestens zwölf Stunden
bei etwa 600 ◦ C ausgegast. Anschließend mussten die Substrate für eine kurze Zeit (etwa
10 s) auf bis zu 1200 ◦ C erwärmt werden, um die Oxidschicht zu entfernen und eine saubere
(111)-7×7-Oberfläche zu erhalten. Das Erwärmen der Probe in dem UHV-System
erfolgte, wie in Kapitel 4.3.1 beschrieben, durch einen Direktstrom, wobei die Temperatur
wiederum mit Hilfe eines Infrarotpyrometers kontrolliert wurde. Die so hergestellten
sauberen Si(111)-7×7-Oberflächen dienten als Ausgangsfläche für die folgenden Präparationen.
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