Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

4.3. Probenpräparation
4.3.1. Präparation der GaN-Template
Wachstum und Transfer
(a)
Metallkontakt
isolator
Heizspannung
Silizium
GaN
Saphir
isolator
Direktstrom
Metallkontakt
(b)
Transferkammer
load lock
4.3. Probenpräparation
Ventil
Transferstab
Abb. 4.3.1: (a) Schematische Darstellung des Probenhalters (nach [75]), (b) angeflanschte Transfer-
kammer am load lock (nach [26]).
Die im Rahmen dieser Arbeit untersuchten GaN-Oberflächen (n-dotiert) wurden von der
AG Hommel mittels MOVPE gewachsen. Der Reaktor der MOVPE befindet sich in einer
glovebox, welche mit trockenem Stickstoff geflutet ist. Nach dem Wachstum wurden die
Proben dort bis zum Transfer aufbewahrt. Über Chemiekalienschutzhandschuhe, welche
luftdicht in die Außenwand der glovebox integriert sind, wird ein Arbeiten unter Schutzgasatmosphäre
realisiert. Dies ermöglicht das Einspannen der gewachsenen GaN-Proben
ohne Kontakt zur Atmosphäre. Innerhalb der glovebox wird die GaN-Probe zusammen
mit einer Siliziumheizplatte in den dafür vorgesehen Probenhalter montiert und anschließend
in die Fassung einer luftdicht verschließbaren Transferkammer installiert. In Abb.
4.3.1 (a) ist der Probenhalter samt Probe schematisch dargestellt. Diese Konfiguration
des Probenhalters ermöglicht es, durch einen Direktstrom durch die Si-Heizplatte die
GaN-Probe passiv zu heizen. Nach Einsetzen des Probenhalters in die Transferkammer
wird diese durch ein Ventil luftdicht verschlossen und anschließend an das load lock-
System der XPS/STM-UHV-Anlage angeflanscht. In Abb. 4.3.1 (b) ist die an das load
lock angeflanschte Transferkammer zu sehen. Das in Abschnitt 4.1 beschriebene Transfersystem
ermöglicht es nun, die Probe in die Hauptanalysekammer zu transferieren.
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