Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

3.1. Silizium
Da im Rahmen dieser Arbeit ausschließlich die ( √ 3× √ 3)-Rekonstruktion zum Passivieren
der Si(111)-Oberfläche verwendet wurde, wird im Folgenden lediglich diese Struktur
näher beschrieben. Die Struktur der ( √ 3 × √ 3)-Rekonstruktion wird durch das
honeycomb-chain-trimer (HCT)-Modell beschrieben. Abbildung 3.1.5 zeigt das Modell
in der Aufsicht (a) sowie in der Seitenansicht (b). Ausgehend von der Volumen-Struktur
des Siliziums wird bei der Terminierung durch Silber die oberste Netzebene des ersten BL
entfernt. Die Siliziumatome der unteren Doppellagenhälfte bilden Trimere aus, so dass
sich pro Atom eine DB ausbildet. Die Silberatome binden an die DB, so dass beim Aufbringen
einer idealen ganzen Monolage Silber alle freien Bindungen abgesättigt sind [42].
(a) (b)
Abb. 3.1.5: HCT-Modell der Silber ( √ 3× √ 3)-Rekonstruktion auf der Si(111)-Oberfläche: (a) Aufsicht
(b) Seitenansicht [42].
Bismut-terminierte Silizium (111)-Oberfläche
Bei der Bismut-terminierten Si(111)-
Oberfläche ist die Existenz zweier Rekonstruktionen
bekannt, die jedoch beide eine
( √ 3× √ 3)R-30 ◦ Periodizität aufweisen.
Die erste der beiden Rekonstruktionen, welche
als Bi-α-Phase bezeichnet wird, bildet sich
bei hoher Temperatur und niedriger Bedeckung
aus. Das T4-Platz-Modell ist das geeignete Modell,
um die Struktur der Oberfläche der α-
Phase zu beschreiben. In Abbildung 3.1.6 ist
das Modell dargestellt. Hierbei sitzen die Bi-
Atome auf T4-Plätzen 1 , so dass sich idealer-
Si
Bi
Aufsicht Seitenansicht
Abb. 3.1.6: Schematische Darstellung des
T4-Modells für die Bi-α-Phase (nach [44]).
1 Ein quasi-vierfach-koordinierter Adsorptionsplatz über einem Atom der zweiten Lage.
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