Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...
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[ 110]<br />
Dimere<br />
[11 2]<br />
Hälfte ohne Stapelfehler<br />
(unfaulted half)<br />
Si-Adatom<br />
Si-Atom, 1. Lage<br />
Si-Atom, 2. Lage<br />
Si-Atom,3.Lage<br />
3.1. Silizium<br />
Hälfte mit Stapelfehler<br />
(faulted half)<br />
Löcher<br />
(corner-holes)<br />
Si-Atom,4.Lage<br />
Abb. 3.1.3: Aufsicht <strong>auf</strong> das dimer-adatom-stacking-fault (DAS) Modell der (7×7)-Rekonstruktion<br />
(nach [41]).<br />
bilden sich Dimere aus. Sowohl die Dimere als auch die Stapelfehler führen zu einer<br />
Reduktion der Atome in der obersten Lage <strong>und</strong> damit verb<strong>und</strong>en zu einer Verringerung<br />
der DB. Zu einer weiteren Reduktion der DB kommt es durch Adatome, die an je drei<br />
Atome der ersten Lage binden. Die Adatome bilden dabei eine (2×2)-Einheitsmasche<br />
aus, so dass einige Atome (Restatome) in der (7×7)-Einheitsmasche an kein weiteres<br />
Atom binden. Durch die beschriebene Rekonstruktion bleiben von den ursprünglich 49<br />
DB der unrekonstruierten Oberfläche nur noch 19 übrig (12 Adatome + 6 Restatome +<br />
1 corner hole).<br />
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