Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

2.7. Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS)
Weglänge und θ ist der Winkel zwischen Probenoberfläche und Detektor. Ist eine dünne
Schicht der Dicke d auf die Probe aufgebracht, so ergibt sich die Intensität, den die
dünne Schicht von der Gesamtintensität hat, durch die Integration 0 bis d zu
IS = fσNkλcosθ[1−e −d/cosθ ]. (2.7.9)
Die Intensität des Substrates an der Gesamtintensität, ergibt sich durch die Integration
von d bis ∞ zu
IB = fσNkλcosθe −d/cosθ . (2.7.10)
Demzufolge lässt sich die relative Konzentration Ni eines Elementes i in einer infinitesimalen
dünnen Schicht anhand der absoluten Intensitäten durch Gleichung 2.7.7 bestimmen.
Zur Bestimmung der Schichtdicken des PTCDA wurden die Si2p-Emissionslinie
sowie die C1s-Emissionslinie gemessen. Aus gegebenen Daten für Substrat und Molekül
simuliert die freeware Software XPS MultiQuant [38] ein XP-Spektrum und nähert
dessen Werte numerisch an das gemessene Spektrum an. Der durch die Annäherung
ermittelte Wert für d entspricht dann der Dicke der aufgebrachten Schicht.
25