Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

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Die Titelseite zeigt ein hochaufgelöstes Beugungsbild von 5 Monolagen 3,4,9,10- Perylentetracarbonsäuredianhydrid auf der Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi-Oberfläche.
Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf Halbleitersubstraten Dissertation zur Erlangung des akademischen Grades - Doktor der Naturwissenschaften (Dr. rer. nat.) - Vorgelegt dem Promotionsausschuss des Fachbereichs 1 (Physik/Elektrotechnik) der Universität Bremen von Dipl. Chem. Christian Schulz Erstgutachter: Prof. Dr. Jens Falta Zweitgutachter: Prof. Dr. Detlef Hommel Eingereicht am: 23.12.10 Tag des Kolloqiums: 09.02.11
Seite 1: Wachstum und Charakterisierung dün
Seite 7: Abstract The growth of ordered thin
Seite 10 und 11: Inhaltsverzeichnis 3.2.3. Wachstum
Seite 13 und 14: 1. Einleitung In den letzten Jahrze
Seite 15 und 16: 2. Physikalische Grundlagen 2.1. Di
Seite 17 und 18: 2.2. Der Wachstumsprozess 2.2. Der
Seite 19 und 20: 2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
Seite 21 und 22: 2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
Seite 23 und 24: k f k i (hkl) G h,k,l (000) Abb. 2.
Seite 25 und 26: 2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
Seite 27 und 28: 2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
Seite 29 und 30: 2.5. Infrarot (IR)-Spektroskopie Di
Seite 31 und 32: 2.7. Röntgenphotoelektronenspektro
Seite 33 und 34: elementspezifische Bindungsenergie
Seite 35 und 36: 2.7. Röntgenphotoelektronenspektro
Seite 37: 2.7. Röntgenphotoelektronenspektro
Seite 40 und 41: 3. Materialsysteme (a) Silizium Kri
Seite 42 und 43: 3. Materialsysteme 3.1.1. Passivier
Seite 44 und 45: 3. Materialsysteme weise eine Bedec
Seite 46 und 47: 3. Materialsysteme 3.2. Galliumnitr
Seite 48 und 49: 3. Materialsysteme Abb. 3.2.4: Reko
Seite 50 und 51: 3. Materialsysteme 3.2.3. Wachstum
Seite 52 und 53:
3. Materialsysteme Abb. 3.3.2: Kris
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4. Experimentelle Details Die im Ra
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4.1.1. Das XPS Spektrometer 4.1. Da
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Drehung gegen den Uhrzeigersinn Ein
Seite 61 und 62:
4.2. Das SPA-LEED-System nen auf de
Seite 63 und 64:
4.3. Probenpräparation 4.3.1. Prä
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4.3. Probenpräparation 375 ◦ C,
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4.3.4. Die Babykammer Um die Schich
Seite 69:
4.5. Das IR-Spektrometer Das Materi
Seite 72 und 73:
5. Wachstum von PTCDA auf passivier
Seite 74 und 75:
Seite 76 und 77:
Seite 78 und 79:
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Seite 115 und 116:
6. Reinigung von GaN-Oberflächen G
Seite 117 und 118:
6.1. Stand der Wissenschaft zen im
Seite 119 und 120:
Die N1s-Emissionslinie 6.2. Emissio
Seite 121 und 122:
Intensität (arb. units) 294 CH x O
Seite 123 und 124:
Chemische Charakterisierung 6.3. Re
Seite 125 und 126:
Abb. 6.3.4: STM-Bild der Probenober
Seite 127 und 128:
6.3.2. N2-Plasma-unterstützte Rein
Seite 129 und 130:
6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberfl
Seite 131 und 132:
Seite 133 und 134:
lfd. Nr. Reinigungsschritt 1 initia
Seite 135 und 136:
Seite 137 und 138:
7. Adsorption von PTCDA auf der GaN
Seite 139 und 140:
7.2. Morphologische Untersuchungen
Seite 141 und 142:
Höhe ( ) 5 nm 6 4 2 0 (b) 0 0.5 1.
Seite 143 und 144:
Anhand der Signalpositionen in Abb.
Seite 145 und 146:
7.4. Molekül-Substrat-Wechselwirku
Seite 147 und 148:
Intensität (arb. units) C-K-Kante
Seite 149 und 150:
8. Zusammenfassung und Ausblick Geg
Seite 151 und 152:
mögliche Modifizierungsschritt, Pe
Seite 153 und 154:
A. Anhang A.1. PTDA auf der Si(111)
Seite 155 und 156:
A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
Seite 157 und 158:
A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
Seite 159:
A.3. PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfl
Seite 162 und 163:
Literaturverzeichnis [18] T. A. Wit
Seite 164 und 165:
Literaturverzeichnis [57] A. R. Smi
Seite 166 und 167:
Literaturverzeichnis [92] Z. Iqbal,
Seite 168 und 169:
Literaturverzeichnis [127] S. Grede
Seite 170 und 171:
Ahrens. Obwohl ihr beide sehr viel
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