Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

Literaturverzeichnis [57] A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2242 (1998). [58] D. Krüger, S. Kuhr, Th. Schmidt, D. Hommel, and J. Falta. Phys. Stat. Sol. RRL 3, 91 (2009). [59] W. Seifert, R. Franzheld, E. Butter, H. Sobotta, and V. Riede. Cryst. Res. Technol. 18, 282 (1983). [60] H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989). [61] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa. Jpn. J. Appl. Phys. 31, L139 (1992). [62] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda. Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986). [63] K. Glöckler, C. Seidel, A. Soukopp, M. Sokolowski, E. Umbach, M. Bohringer, R. Berndt, and W. D. Schneider. Surf. Sci. 405, 1 (1998). [64] Bärbel Krause. Growth and Structure of the Organic Molecule PTCDA on Ag(111). PhD thesis, Max-Planck-Institut für Metallforschung, 2003. [65] Stefan Schmitt. Adsorbatinduzierte richtungsabhängige Facettierung und selbstorganisierte Domänen-Musterbildung auf vizinalen Ag(111)-Oberflächen. PhD thesis, Universität Würzburg, 2007. [66] Michael Leonhardt. UHV-Aufdampfschichten von PTCDA: Korrelation vom optischer Spektroskopie und Schichtaufbau. PhD thesis, Universität Stuttgart, 2001. [67] A. J. Lovinger, S. R. Forrest, M. L. Kaplan, P. H. Schmidt, and T. Venkatesan. J. Appl. Phys. 55, 476 (1984). [68] M. Mobus, N. Karl, and T. Kobayashi. J. Cryst. Growth 116, 495 (1992). [69] Taunusstein 2006 Omicron NanoTechnology GmbH: Gerätebeschreibung zur DAR 400 Röntgenquelle. [70] D. Briggs and M. P. Seah. Practical Surface Analysis, Vol. 1: Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy. (1990). [71] Taunusstein 2006 Omicron NanoTechnology GmbH: Gerätebeschreibung zur EA 125 Energieanalysator. [72] P. Zahl, M. Bierkandt, S. Schröder, and A. Klust. Rev. Sci. Inst. 74, 1222 (2003). [73] Omicron NanoTechnology GmbH. http://www.omicron.de. last visited on August 10th 2010. 152
[74] Applied Epi (1998) Uni-bulb TM rf plasma source Anleitung. Literaturverzeichnis [75] S. Gangopadhyay. Growth, Surface Structure and Morphology of Semiconductor Nano-Structures. PhD thesis, Universität Bremen, 2006. [76] T. Clausen. Wachstum und Charakterisierung von Ge-Nanostrukturen auf Si(113) durch Adsorbat-modifizierte Epitaxie. PhD thesis, Universität Bremen, 2006. [77] D. Krüger. Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie an GaN- und InGaN- Oberflächen. PhD thesis, Universität Bremen, 2009. [78] Bruker Optics. http://www.brukeroptics.com. last visited on September 20th 2010. [79] Y. Hirose, S. R. Forrest, and A. Kahn. Phys. Rev. B 52, 14040 (1995). [80] J. Taborski, P. Väterlein, H. Dietz, U. Zimmermann, and E. Umbach. J. Elec. Spec and Rel. Phen. 75, 129 (1995). [81] T. Soubiron, F. Vaurette, J. P. Nys, B. Grandidier, X. Wallart, and D. Stiévenard. Surf. Sci. 581, 178 (2005). [82] M. Tengelin-Nilsson, L. Ilver, and J. Kansk. Surf. Sci. 464, 265 (2000). [83] B. Uder, C. Ludwig, J. Petersen, B. Gompf, and W. Eisenmenger. Z. Phy. B 97, 389 (1995). [84] T. Soubiron, F. Vaurette, J. P. Nys, B. Grandidier, X. Wallart, and D. Stiévenard. NSTI Nanotech 3, 383 (2004). [85] F. Vaurette, J. P. Nys, B. Grandidier, C. Priester, and D. Stiévenard. Phys. Rev. B 75, 235435 (2007). [86] J. B. Gustafsson, E. Moons, S. M. Widstrand, and L. S. O. Johansson. Surf. Sci. 600, 4758 (2006). [87] J. C. Swarbrick, J. Ma, J. A. Theobald, N. S. Oxtoby, J. N. OShea, N. R. Champness, and P. H. Beton. J. Phy. Chem. B 109, 12167 (2005). [88] J. B. Gustafsson, H. M. Zhang, and L. S. O. Johansson. Phys. Rev. B 75, 155414 (2007). [89] J. B. Gustafsson, H. M. Zhang, and L. S. O. Johansson. Phys. Rev. B 75, 155413 (2007). [90] N. Nicoara, Z. Wei, and J. M. Gómez-Rodríguez. J. Phys. Chem. 113, 14935 (2009). [91] J. Wüsten, Th. Ertl, S. Lach, and Ch. Ziegler. Appl. Surf. Sci. 252, 104 (2005). 153
Seite 1 und 2:
Wachstum und Charakterisierung dün
Seite 3:
Wachstum und Charakterisierung dün
Seite 7:
Abstract The growth of ordered thin
Seite 10 und 11:
Inhaltsverzeichnis 3.2.3. Wachstum
Seite 13 und 14:
1. Einleitung In den letzten Jahrze
Seite 15 und 16:
2. Physikalische Grundlagen 2.1. Di
Seite 17 und 18:
2.2. Der Wachstumsprozess 2.2. Der
Seite 19 und 20:
2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
Seite 21 und 22:
2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
Seite 23 und 24:
k f k i (hkl) G h,k,l (000) Abb. 2.
Seite 25 und 26:
2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
Seite 27 und 28:
2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
Seite 29 und 30:
2.5. Infrarot (IR)-Spektroskopie Di
Seite 31 und 32:
2.7. Röntgenphotoelektronenspektro
Seite 33 und 34:
elementspezifische Bindungsenergie
Seite 35 und 36:
Seite 37:
Seite 40 und 41:
3. Materialsysteme (a) Silizium Kri
Seite 42 und 43:
3. Materialsysteme 3.1.1. Passivier
Seite 44 und 45:
3. Materialsysteme weise eine Bedec
Seite 46 und 47:
3. Materialsysteme 3.2. Galliumnitr
Seite 48 und 49:
3. Materialsysteme Abb. 3.2.4: Reko
Seite 50 und 51:
3. Materialsysteme 3.2.3. Wachstum
Seite 52 und 53:
3. Materialsysteme Abb. 3.3.2: Kris
Seite 55 und 56:
4. Experimentelle Details Die im Ra
Seite 57 und 58:
4.1.1. Das XPS Spektrometer 4.1. Da
Seite 59 und 60:
Drehung gegen den Uhrzeigersinn Ein
Seite 61 und 62:
4.2. Das SPA-LEED-System nen auf de
Seite 63 und 64:
4.3. Probenpräparation 4.3.1. Prä
Seite 65 und 66:
4.3. Probenpräparation 375 ◦ C,
Seite 67 und 68:
4.3.4. Die Babykammer Um die Schich
Seite 69:
4.5. Das IR-Spektrometer Das Materi
Seite 72 und 73:
5. Wachstum von PTCDA auf passivier
Seite 74 und 75:
Seite 76 und 77:
Seite 78 und 79:
Seite 80 und 81:
Seite 82 und 83:
Seite 84 und 85:
Seite 86 und 87:
Seite 88 und 89:
Seite 90 und 91:
Seite 92 und 93:
Seite 94 und 95:
Seite 96 und 97:
Seite 98 und 99:
Seite 100 und 101:
Seite 102 und 103:
Seite 104 und 105:
Seite 106 und 107:
Seite 108 und 109:
Seite 110 und 111:
Seite 112 und 113:
Seite 115 und 116: 6. Reinigung von GaN-Oberflächen G
Seite 117 und 118: 6.1. Stand der Wissenschaft zen im
Seite 119 und 120: Die N1s-Emissionslinie 6.2. Emissio
Seite 121 und 122: Intensität (arb. units) 294 CH x O
Seite 123 und 124: Chemische Charakterisierung 6.3. Re
Seite 125 und 126: Abb. 6.3.4: STM-Bild der Probenober
Seite 127 und 128: 6.3.2. N2-Plasma-unterstützte Rein
Seite 129 und 130: 6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberfl
Seite 133 und 134: lfd. Nr. Reinigungsschritt 1 initia
Seite 137 und 138: 7. Adsorption von PTCDA auf der GaN
Seite 139 und 140: 7.2. Morphologische Untersuchungen
Seite 141 und 142: Höhe ( ) 5 nm 6 4 2 0 (b) 0 0.5 1.
Seite 143 und 144: Anhand der Signalpositionen in Abb.
Seite 145 und 146: 7.4. Molekül-Substrat-Wechselwirku
Seite 147 und 148: Intensität (arb. units) C-K-Kante
Seite 149 und 150: 8. Zusammenfassung und Ausblick Geg
Seite 151 und 152: mögliche Modifizierungsschritt, Pe
Seite 153 und 154: A. Anhang A.1. PTDA auf der Si(111)
Seite 155 und 156: A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
Seite 157 und 158: A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
Seite 159: A.3. PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfl
Seite 162 und 163: Literaturverzeichnis [18] T. A. Wit
Seite 166 und 167: Literaturverzeichnis [92] Z. Iqbal,
Seite 168 und 169: Literaturverzeichnis [127] S. Grede
Seite 170 und 171: Ahrens. Obwohl ihr beide sehr viel
Alle anzeigen

Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Template löschen?

Als Template speichern?