Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

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A. Anhang A.3. PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfläche Aufgrund von Restkohlenstoff bzw. -sauersoff den Probenoberflächen weist der Fitprozess eine geringere Genauigkeit auf, weshalb der Fehler hier zu 0,1 eV abgeschätzt wurde. sda sad sad asd ads sda asfdsaf asd asd sa dad sd gad sda sad dsa PTCDA Menge (Å) GW (Caryl) (eV) GW (Ccarbonyl) (eV) 4 1,5±0,1 1,5 ±0,1 7 1,5±0,1 1,5 ±0,1 9 1,5±0,1 1,5 ±0,1 12 1,5±0,1 1,5 ±0,1 15 1,6±0,1 1,5 ±0,1 20 1,6±0,1 1,5 ±0,1 Tab. A.3.1: Gaussbreiten (GW) des Caryl- und Ccarbonyl-Signals in der C1s-Emissionlinie in Abhän- gigkeit von der PTCDA-Menge. PTCDA Menge (Å) GW (Ocarbonyl) (eV) GW(Oanhydrid) (eV) 4 1,4 ±0,1 1,50 ±0,1 7 1,4 ±0,1 1,6 ±0,1 9 1,4±0,1 1,6 ±0,1 12 1,4±0,1 1,5 ±0,1 15 1,4±0,1 1,5±0,1 20 1,4±0,1 1,5 ±0,1 Tab. A.3.2: Gaussbreiten (GW) des Ocarbonyl- und Oanhydrid-Signals in der C1s-Emissionlinie in Abhängigkeit von der PTCDA-Menge. Signal Bindungsenergie (eV) π ∗ (C-H, C=C=O) 284,2 π ∗ (C-H, C=C) 285,4 π ∗ (C=O) 288,0, 288,6 Tab. A.3.3: Bindungsenergien der π ∗ Resonanzen im NEXAFS-Spektrum der Kohlenstoff-K-Kante von 4Å PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfläche. 146
A.3. PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfläche Signal Bindungsenergie (eV) π ∗ (C-H, C=C=O) 284,2 π ∗ (C-H, C=C) 285,4 π ∗ (C=O) 288,0, 288,6 Tab. A.3.4: Bindungsenergien der π ∗ Resonanzen im NEXAFS-Spektrum der Kohlenstoff-K-Kante von 11Å PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfläche. 147
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Wachstum und Charakterisierung dün
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Wachstum und Charakterisierung dün
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Abstract The growth of ordered thin
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Inhaltsverzeichnis 3.2.3. Wachstum
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1. Einleitung In den letzten Jahrze
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2. Physikalische Grundlagen 2.1. Di
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2.2. Der Wachstumsprozess 2.2. Der
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2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
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2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
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k f k i (hkl) G h,k,l (000) Abb. 2.
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2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
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2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
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2.5. Infrarot (IR)-Spektroskopie Di
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2.7. Röntgenphotoelektronenspektro
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elementspezifische Bindungsenergie
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3. Materialsysteme (a) Silizium Kri
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3. Materialsysteme 3.1.1. Passivier
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3. Materialsysteme weise eine Bedec
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3. Materialsysteme 3.2. Galliumnitr
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3. Materialsysteme Abb. 3.2.4: Reko
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3. Materialsysteme 3.2.3. Wachstum
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3. Materialsysteme Abb. 3.3.2: Kris
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4. Experimentelle Details Die im Ra
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4.1.1. Das XPS Spektrometer 4.1. Da
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Drehung gegen den Uhrzeigersinn Ein
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4.2. Das SPA-LEED-System nen auf de
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4.3. Probenpräparation 4.3.1. Prä
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4.3. Probenpräparation 375 ◦ C,
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4.3.4. Die Babykammer Um die Schich
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4.5. Das IR-Spektrometer Das Materi
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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Seite 108 und 109: 5. Wachstum von PTCDA auf passivier
Seite 115 und 116: 6. Reinigung von GaN-Oberflächen G
Seite 117 und 118: 6.1. Stand der Wissenschaft zen im
Seite 119 und 120: Die N1s-Emissionslinie 6.2. Emissio
Seite 121 und 122: Intensität (arb. units) 294 CH x O
Seite 123 und 124: Chemische Charakterisierung 6.3. Re
Seite 125 und 126: Abb. 6.3.4: STM-Bild der Probenober
Seite 127 und 128: 6.3.2. N2-Plasma-unterstützte Rein
Seite 129 und 130: 6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberfl
Seite 133 und 134: lfd. Nr. Reinigungsschritt 1 initia
Seite 137 und 138: 7. Adsorption von PTCDA auf der GaN
Seite 139 und 140: 7.2. Morphologische Untersuchungen
Seite 141 und 142: Höhe ( ) 5 nm 6 4 2 0 (b) 0 0.5 1.
Seite 143 und 144: Anhand der Signalpositionen in Abb.
Seite 145 und 146: 7.4. Molekül-Substrat-Wechselwirku
Seite 147 und 148: Intensität (arb. units) C-K-Kante
Seite 149 und 150: 8. Zusammenfassung und Ausblick Geg
Seite 151 und 152: mögliche Modifizierungsschritt, Pe
Seite 153 und 154: A. Anhang A.1. PTDA auf der Si(111)
Seite 155 und 156: A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
Seite 157: A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
Seite 162 und 163: Literaturverzeichnis [18] T. A. Wit
Seite 164 und 165: Literaturverzeichnis [57] A. R. Smi
Seite 166 und 167: Literaturverzeichnis [92] Z. Iqbal,
Seite 168 und 169: Literaturverzeichnis [127] S. Grede
Seite 170 und 171: Ahrens. Obwohl ihr beide sehr viel
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