Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

A. Anhang
A.3. PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfläche
Aufgrund von Restkohlenstoff bzw. -sauersoff den Probenoberflächen weist der Fitprozess
eine geringere Genauigkeit auf, weshalb der Fehler hier zu 0,1 eV abgeschätzt wurde.
sda sad sad asd ads sda asfdsaf asd asd sa dad sd gad sda sad dsa
PTCDA Menge (Å) GW (Caryl) (eV) GW (Ccarbonyl) (eV)
4 1,5±0,1 1,5 ±0,1
7 1,5±0,1 1,5 ±0,1
9 1,5±0,1 1,5 ±0,1
12 1,5±0,1 1,5 ±0,1
15 1,6±0,1 1,5 ±0,1
20 1,6±0,1 1,5 ±0,1
Tab. A.3.1: Gaussbreiten (GW) des Caryl- und Ccarbonyl-Signals in der C1s-Emissionlinie in Abhän-
gigkeit von der PTCDA-Menge.
PTCDA Menge (Å) GW (Ocarbonyl) (eV) GW(Oanhydrid) (eV)
4 1,4 ±0,1 1,50 ±0,1
7 1,4 ±0,1 1,6 ±0,1
9 1,4±0,1 1,6 ±0,1
12 1,4±0,1 1,5 ±0,1
15 1,4±0,1 1,5±0,1
20 1,4±0,1 1,5 ±0,1
Tab. A.3.2: Gaussbreiten (GW) des Ocarbonyl- und Oanhydrid-Signals in der C1s-Emissionlinie in
Abhängigkeit von der PTCDA-Menge.
Signal Bindungsenergie (eV)
π ∗ (C-H, C=C=O) 284,2
π ∗ (C-H, C=C) 285,4
π ∗ (C=O) 288,0, 288,6
Tab. A.3.3: Bindungsenergien der π ∗ Resonanzen im NEXAFS-Spektrum der Kohlenstoff-K-Kante
von 4Å PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfläche.
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