Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

A.2. Reinigungsergebnisse zu den GaN-Proben
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,175±0,026 0,430±0,064 1,072±0,161
2 14h bei 650 ◦ C 0,069±0,010 0,107±0,016 1,129±0,169
3 1. Ga on/off - - -
4 1. Ga on/off - - -
5 1. Ga on/off 0,044±0,006 0,044±0,016 1,066±0,156
6 15h bei 750 ◦ C 0,054±0,008 0,006±0,009 1,146±0,172
Tab. A.2.9: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1777[1]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug in etwa neun Wochen.
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,118±0,018 0,293±0,043 1,007±0,151
2 14h bei 750 ◦ C 0,076±0,011 0,078±0,012 1,071±0,161
3 N2-Plasma 0,052±0,079 0,000±0,000 1,028±0,154
6 15h bei 750 ◦ C 0,067±0,010 0,000±0,000 0,991±0,148
Tab. A.2.10: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1777[2]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug in etwa drei Tage.
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,139±0,020 0,241±0,036 0,990±0,148
2 14h bei 750 ◦ C 0,086±0,013 0,074±0,011 0,959±0,143
3 N2-Plasma 0,066±0,001 0,028±0,004 1,064±0,159
6 15h bei 750 ◦ C 0,109±0,016 0,018±0,003 1,023±0,153
Tab. A.2.11: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1777[4]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug in etwa fünf Tage.
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