Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

A. Anhang
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,367±0,055 0,425±0,064 1,06±0,158
2 14h bei 650 ◦ C 0,198±0,029 0,158±0,024 1,020±0,153
3 N2-Plasma 0,189±0,028 0,037±0,006 1,026±0,147
Tab. A.2.6: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1362[5]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug über zehn Wochen.
A.2.2. a-plane GaN-Proben
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,106±0,016 0,229±0,034 0,936±0,140
2 14h bei 750 ◦ C 0,056±0,008 0,065±0,010 0,877±0,132
3 1. Ga on/off 0,031±0,005 0,041±0,006 0,921±0,138
4 1. Ga on/off 0,031±0,005 0,034±0,005 0,921±0,138
5 1. Ga on/off 0,031±0,005 0,036±0,005 0,926±0,139
6 15h bei 750 ◦ C 0,052±0,008 0,037±0,006 0,908±0,136
Tab. A.2.7: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1692[1]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug in etwa sechs Stunden.
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,100±0,015 0,168±0,025 0,985±0,148
2 14h bei 650 ◦ C 0,088±0,013 0,044±0,007 0,894±0,134
3 1. Ga on/off 0,020±0,003 0,025±0,004 0,954±0,143
4 1. Ga on/off 0,014±0,002 0,029±0,004 0,938±0,141
5 1. Ga on/off 0,016±0,002 0,024±0,004 0,89±0,134
6 15h bei 750 ◦ C 0,049±0,007 0,014±0,002 0,944±0,142
Tab. A.2.8: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1766[1]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug in etwa einen Tag.
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