Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

A.2. Reinigungsergebnisse zu den GaN-Proben
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,338±0,051 0,483±0,072 0,975±0,146
2 14h bei 650 ◦ C 0,234±0,036 0,237±0,036 1,043±0,156
3 1. Ga on/off 0,107±0,016 0,098±0,014 0,946±0,141
4 1. Ga on/off 0,084±0,013 0,082±0,012 0,979±0,146
5 1. Ga on/off 0,075±0,011 0,093±0,014 0,976±0,145
6 15h bei 750 ◦ C 0,130±0,019 0,099±0,015 1,037±0,156
Tab. A.2.3: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1362[2]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug über zehn Wochen.
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,347±0,052 0,523±0,078 1,087±0,163
2 14h bei 650 ◦ C 0,251±0,038 0,253±0,038 1,020±0,153
3 1. Ga on/off 0,193±0,029 0,093±0,014 0,991±0,148
4 1. Ga on/off 0,187±0,028 0,085±0,013 0,978±0,147
5 1. Ga on/off 0,167±0,025 0,070±0,019 0,990±0,149
6 15h bei 750 ◦ C 0,230±0,034 0,036±0,007 1,034±0,155
Tab. A.2.4: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1362[3]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug über zehn Wochen.
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,487±0,073 0,508±0,076 1,13±0,169
2 14h bei 650 ◦ C 0,251±0,037 0,093±0,014 1,039±0,154
3 N2-Plasma 0,193±0,029 0,049±0,007 1,026±0,153
Tab. A.2.5: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1362[4]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug über zehn Wochen.
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