Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

A. Anhang
A.2. Reinigungsergebnisse zu den GaN-Proben
In diesem Abschnitt werden die relativen Häufigkeiten zu den in dieser Arbeit beschriebenen
Reinigungsverläufen zusammengefasst.
A.2.1. c-plane GaN-Proben
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,215±0,033 0,422±0,065 1,189±0,176
2 14h bei 650 ◦ C 0,052±0,008 0,214±0,033 0,981±0,145
3 1. Ga on/off 0,008±0,001 0,137±0,021 0,986±0,143
4 1. Ga on/off 0,010±0,001 0,138±0,021 1,062±0,157
5 1. Ga on/off 0,000±0,000 0,019±0,003 1,004±0,148
6 15h bei 750 ◦ C 0,090±0,0014 0,00±0,000 1,024±0,151
Tab. A.2.1: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1591[1]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug in etwa neun Wochen.
Nr. R.-Schritt n(O1s)/n(Ga3d) n(C1s)/n(Ga3d) n(Ga3d)/n(N1s)
1 initial surface 0,384±0,058 0,283±0,043 1,000±0,150
2 14h bei 650 ◦ C 0,127±0,019 0,028±0,004 1,010±0,152
3 1. Ga on/off 0,110±0,016 0,031±0,005 1,028±0,154
4 1. Ga on/off 0,074±0,011 0,036±0,005 1,040±0,156
5 1. Ga on/off 0,075±0,011 0,045±0,007 1,000±0,150
6 15h bei 750 ◦ C 0,119±0,018 0,00±0,000 0,976±0,145
Tab. A.2.2: Relative Häufigkeiten der Sauerstoff- und Kohlenstoffkontamination und das Ga:N-
Verhältnis der Probe g1362[1]. Die Lagerungszeit in der glove-box betrug in etwa zehn Wochen.
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