Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

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8. Zusammenfassung und Ausblick der Oberfläche keine präferierten Nukleationsstellen darstellen und es konnte auch keine Korrelation mit Stufenkanten beobachtet werden. Die geringen Molekül-Substrat- Wechselwirkungen konnten durch eine ausführliche Photoemissionslinienanalyse bestätigt werden. Darüber hinaus konnten zwischen den Inseln keine Evidenzen auf eine Benetzungsschicht gefunden werden, weshalb von einem Volmer-Weber-Wachstum auszugehen ist. Mittels hochaufgelösten STM-Bildern konnte die HB-Struktur auf den Inseln nachgewiesen werden. Die Abmessung der Einheitszelle ((11,4±0,4×19,8±0,7) Å 2 ) zeigte eine gute Übereinstimmung mit der α-Phase des Volumenmaterials. SPA-LEED- Untersuchungen konnten diese Struktur bestätigen und zusätzlich zeigen, dass sie keine Vorzugsrichtung hat, sondern in einer Vielzahl von Rotationsdomänen auf der Oberfläche vorliegt. Bestätigt wird diese Struktur zusätzlich durch abschließende NEXAFS- Untersuchungen zur Molekülorientierung, über die ein Wachstum der Moleküle mit der Molekülachse parallel zum Substrat nachgewiesen werden konnte. Im Gegensatz zu der Si(111)-Oberfläche scheinen bei diesem System die Wechselwirkungen zwischen Substrat und Molekül zu gering zu sein, um ein Lage-für-Lage-Wachstum zu gewährleisten. Aus diesem Grund wäre die Modifizierung der Oberfläche mittels Schwefel oder Selen denkbar, um diese Wechselwirkungen zu verstärken und um so ein Lagenwachstum zu erzielen. Ein weiterer Ansatz um dies zu verwirklichen, wäre die Endgruppen des Moleküles dahingehend zu modifizieren, dass stärkere Wechselwirkungen auftreten. Wenn ein Lagenwachstum gelänge, könnten solche Hybdridsysteme z.B. als OFET genutzt werden, wie es schon bei PTCDA/InAs-Systemen gezeigt wurde [11]. Ein großer Vorteil der GaN-Systeme liegt eindeutig in gesundheitlichen Aspekten im Vergleich zum InAs. Des Weiteren wären Untersuchungen zu den optischen Eigenschaften dieser PTCDA- Inseln von großem Interesse. Eine wichtige Frage hierbei wäre auch, wie die Struktur bzw. das Substrat diese Eigenschaften beeinflusst. 140
A. Anhang A.1. PTDA auf der Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Bi Oberfläche PTCDA Menge (ML) Bindungsenergie (eV) Tab. A.1.1: Bindungsenergie der Bi4f7 2 0,3 156,91±0,05 0,6 156,92±0,05 1,2 156,91±0,05 1,7 156,89±0,05 2,5 156,90±0,05 3,5 156,88±0,05 10 156,91±0,05 in Abhängigkeit von der PTCDA-Menge. 141
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Wachstum und Charakterisierung dün
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Abstract The growth of ordered thin
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Inhaltsverzeichnis 3.2.3. Wachstum
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1. Einleitung In den letzten Jahrze
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2. Physikalische Grundlagen 2.1. Di
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2.2. Der Wachstumsprozess 2.2. Der
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2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
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2.3. Grundlagen der Elektronenbeugu
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k f k i (hkl) G h,k,l (000) Abb. 2.
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2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
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2.4. Rastertunnelmikroskopie (STM)
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2.5. Infrarot (IR)-Spektroskopie Di
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2.7. Röntgenphotoelektronenspektro
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elementspezifische Bindungsenergie
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3. Materialsysteme (a) Silizium Kri
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3. Materialsysteme 3.1.1. Passivier
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3. Materialsysteme weise eine Bedec
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3. Materialsysteme 3.2. Galliumnitr
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3. Materialsysteme Abb. 3.2.4: Reko
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3. Materialsysteme 3.2.3. Wachstum
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3. Materialsysteme Abb. 3.3.2: Kris
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4. Experimentelle Details Die im Ra
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4.1.1. Das XPS Spektrometer 4.1. Da
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Drehung gegen den Uhrzeigersinn Ein
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4.2. Das SPA-LEED-System nen auf de
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4.3. Probenpräparation 4.3.1. Prä
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4.3. Probenpräparation 375 ◦ C,
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4.3.4. Die Babykammer Um die Schich
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4.5. Das IR-Spektrometer Das Materi
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5. Wachstum von PTCDA auf passivier
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Seite 102 und 103: 5. Wachstum von PTCDA auf passivier
Seite 115 und 116: 6. Reinigung von GaN-Oberflächen G
Seite 117 und 118: 6.1. Stand der Wissenschaft zen im
Seite 119 und 120: Die N1s-Emissionslinie 6.2. Emissio
Seite 121 und 122: Intensität (arb. units) 294 CH x O
Seite 123 und 124: Chemische Charakterisierung 6.3. Re
Seite 125 und 126: Abb. 6.3.4: STM-Bild der Probenober
Seite 127 und 128: 6.3.2. N2-Plasma-unterstützte Rein
Seite 129 und 130: 6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberfl
Seite 133 und 134: lfd. Nr. Reinigungsschritt 1 initia
Seite 137 und 138: 7. Adsorption von PTCDA auf der GaN
Seite 139 und 140: 7.2. Morphologische Untersuchungen
Seite 141 und 142: Höhe ( ) 5 nm 6 4 2 0 (b) 0 0.5 1.
Seite 143 und 144: Anhand der Signalpositionen in Abb.
Seite 145 und 146: 7.4. Molekül-Substrat-Wechselwirku
Seite 147 und 148: Intensität (arb. units) C-K-Kante
Seite 149 und 150: 8. Zusammenfassung und Ausblick Geg
Seite 151: mögliche Modifizierungsschritt, Pe
Seite 155 und 156: A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
Seite 157 und 158: A.2. Reinigungsergebnisse zu den Ga
Seite 159: A.3. PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfl
Seite 162 und 163: Literaturverzeichnis [18] T. A. Wit
Seite 164 und 165: Literaturverzeichnis [57] A. R. Smi
Seite 166 und 167: Literaturverzeichnis [92] Z. Iqbal,
Seite 168 und 169: Literaturverzeichnis [127] S. Grede
Seite 170 und 171: Ahrens. Obwohl ihr beide sehr viel
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