Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...
Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...
Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
8. Zusammenfassung <strong>und</strong> Ausblick<br />
der Oberfläche keine präferierten Nukleationsstellen darstellen <strong>und</strong> es konnte auch keine<br />
Korrelation mit Stufenkanten beobachtet werden. Die geringen Molekül-Substrat-<br />
Wechselwirkungen konnten durch eine ausführliche Photoemissionslinienanalyse bestätigt<br />
werden. Darüber hinaus konnten zwischen den Inseln keine Evidenzen <strong>auf</strong> eine Benetzungsschicht<br />
gef<strong>und</strong>en werden, weshalb von einem Volmer-Weber-<strong>Wachstum</strong> auszugehen<br />
ist. Mittels hoch<strong>auf</strong>gelösten STM-Bildern konnte die HB-Struktur <strong>auf</strong> den Inseln<br />
nachgewiesen werden. Die Abmessung der Einheitszelle ((11,4±0,4×19,8±0,7) Å 2 )<br />
zeigte eine gute Übereinstimmung mit der α-Phase des Volumenmaterials. SPA-LEED-<br />
Untersuchungen konnten diese Struktur bestätigen <strong>und</strong> zusätzlich zeigen, dass sie keine<br />
Vorzugsrichtung hat, sondern in einer Vielzahl von Rotationsdomänen <strong>auf</strong> der Oberfläche<br />
vorliegt. Bestätigt wird diese Struktur zusätzlich durch abschließende NEXAFS-<br />
Untersuchungen zur Molekülorientierung, über die ein <strong>Wachstum</strong> der Moleküle mit der<br />
Molekülachse parallel zum Substrat nachgewiesen werden konnte.<br />
Im Gegensatz zu der Si(111)-Oberfläche scheinen bei diesem System die Wechselwirkungen<br />
zwischen Substrat <strong>und</strong> Molekül zu gering zu sein, um ein Lage-für-Lage-<strong>Wachstum</strong> zu<br />
gewährleisten. Aus diesem Gr<strong>und</strong> wäre die Modifizierung der Oberfläche mittels Schwefel<br />
oder Selen denkbar, um diese Wechselwirkungen zu verstärken <strong>und</strong> um so ein Lagenwachstum<br />
zu erzielen. Ein weiterer Ansatz um dies zu verwirklichen, wäre die Endgruppen<br />
des Moleküles dahingehend zu modifizieren, dass stärkere Wechselwirkungen<br />
<strong>auf</strong>treten. Wenn ein Lagenwachstum gelänge, könnten solche Hybdridsysteme z.B. als<br />
OFET genutzt werden, wie es schon bei <strong>PTCDA</strong>/InAs-Systemen gezeigt wurde [11].<br />
Ein großer Vorteil der GaN-Systeme liegt eindeutig in ges<strong>und</strong>heitlichen Aspekten im<br />
Vergleich zum InAs.<br />
Des Weiteren wären Untersuchungen zu den optischen Eigenschaften dieser <strong>PTCDA</strong>-<br />
Inseln von großem Interesse. Eine wichtige Frage hierbei wäre auch, wie die Struktur<br />
bzw. das Substrat diese Eigenschaften beeinflusst.<br />
140