Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

7. Adsorption von PTCDA auf der GaN(0001)-Oberfläche
7.3. Strukturelle Untersuchungen
In Abb. 7.3.1 ist das Beugungsbild der reinen GaN(0001)-Oberfläche nach dem Ausgasen
und einem Gallium-Deposition/Desorption-Schritt gezeigt. Es ist sind scharfe, gut
ausgeprägte Reflexe der charakteristischen (1×1)-Struktur des GaN(0001) zu erkennen.
Nach der Deposition von PTCDA können um den (00)-Reflex zwei konzentrische Ringe
mit relativ hoher Intensität beobachtet werden (siehe Abb. 7.3.2). Darüber hinaus kann
noch ein dritter Ring identifiziert werden, welcher näher am (00)-Reflex erscheint und
eine sehr schwache Intensität besitzt (siehe Abb. 7.3.2, gelber Halbkreis). Das beobachtete
Beugungsbild kann mit der Existenz von vielen Rotationsdomänen der HB-Struktur
verstanden werden. Die reziproke Einheitszelle dieser Struktur ist in das Beugungsbild
in Abb. 7.3.2 gelb eingezeichnet. Der erste Ring starker Intensität bei (0,64±0,01) Å −1
(siehe Linienprofil in Abb. 7.3.3) resultiert aus der Rotation des (11)- und (20)-Reflexes,
während der Ring bei (0,85±0,01) Å −1 durch eine Rotation des (21)-Reflexes entsteht.
Der Ring mit der geringen Intensität bei (0,64±0,01) Å −1 kann der Rotation des (10)-
Reflexes zugeordnet werden. Wie schon in Abschnitt 5.3.1 beschrieben, sollte dieser
Reflex aufgrund der p2gg-Symmetrie der (102)-Ebene und den daraus resultierenden
zwei Gleitspiegelebenen verboten sein. Durch das Auftreten dieses Reflexes kann darauf
geschlossen werden, dass das Adsorbat nur annähernd eine p2gg-Symmetrie aufweist.
Eine Erklärung wäre das der Winkel zwischen den Einheitszellenvektoren leicht von den
90 ◦ der HB-Struktur abweicht.
130
76eV
Abb. 7.3.1: Beugungsbild der reinen
GaN(0001)-Oberfläche.
34eV
Abb. 7.3.2: Beugungsbild von PTCDA auf
der GaN(0001)-Oberfläche (20Å).