Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

Höhe ( )
5 nm
6
4
2
0
(b)
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Länge (nm)
Abb. 7.2.2: (a) STM Aufnahme
auf den Inseln (24,6nm×9,6nm,
Utip=-3V, IT=0,03nA) (b) Linien-
profil entlang der in Abb. 7.2.2 (a)
gekennzeichneten Linie.
(a)
Höhe (Å)
1.5
1.0
0.5
7.2. Morphologische Untersuchungen
0
0 1 2 3
Abstand (nm)
10nm
Abb. 7.2.3: STM-Aufnahme zwischen den Inseln
(80nm×80nm, Utip=-3V, IT=0,3nA).
Daten keine genaue Aussage getroffen werden welche der beiden Phasen vorliegt. Die
Abmessung lässt vermuten, dass die Struktur auf den Inseln fast vollständig relaxiert
ist und nicht durch Molekül-Substrat- sondern durch intermolekulare Wechselwirkungen
beeinflusst wird. Aus dem Linienprofil kann eine Stufenhöhe von (3,4±0,2) Å bestimmt
werden. Diese Höhe ist konsistent mit der Stufenhöhe der α-Phase von 3,21 Å bzw. der
β-Phase von 3,25 Å [140].
In Abb. 7.2.3 ist die Oberfläche zwischen den Inseln dargestellt. Im Gegensatz zu der
STM-Aufnahme auf den Inseln zeigt dieses Bild keine Moleküle in der HB-Struktur.
Darüber hinaus zeigt die STM-Aufnahme sowie das Linienprofil der Oberfläche keinen
Hinweis auf adsorbierte PTCDA-Moleküle zwischen den Inseln, beispielsweise in Form
einer ungeordneten ersten Lage oder einer geordneten passivierenden ersten Lage, wie
es von PTCDA auf der In-terminierten InAs(001)-Oberfläche bekannt ist [135]. Es können
auch keine kleinen Cluster identifiziert werden, wie es auf der Si(111):H-Oberfläche
beobachtet wurde [14].
Somit zeigen die STM-Untersuchungen, dass die PTCDA-Moleküle im Volmer-Weber-
Modus auf der GaN(0001)-Oberfläche aufwachsen.
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