Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...
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1. Einleitung<br />
(<strong>PTCDA</strong>) als organische Komponente des Materialsystems gewählt. Dieser organische<br />
Halbleiter ist schon längere Zeit bekannt <strong>und</strong> findet Anwendung als intensiver roter Farbstoff<br />
in der Lackindustrie, in Bereichen der Molekularelektronik, wie z.B. als Gleichrichterdiode<br />
[6] oder Photozelle [7].<br />
Während das <strong>Wachstum</strong> von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong> Metallen weitreichend untersucht wurde<br />
[8–10], gibt es vergleichsweise wenig systematische Untersuchungen zu dem <strong>Wachstum</strong><br />
von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong> Halbleitersubstraten, obwohl diese Systeme eine vielversprechende<br />
Kombination für Anwendungen in der Optoelektronik [11] darstellen. Ein Gr<strong>und</strong> dafür<br />
ist, dass die Herstellung von geordneten <strong>Filme</strong>n <strong>auf</strong> Halbleitersubstraten durch die reaktiven<br />
ungesättigten Bindungen an der Oberfläche schwer zu realisieren ist. Eine Möglichkeit<br />
dieses Problem zu überwinden stellt die Passivierung mit Fremdatomen dar [12–14].<br />
Diese scheint jedoch nicht zwingend notwendig zu sein, denn Untersuchungen zur Adsorption<br />
von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong> III-V-Halbleitern zeigten ein geordnetes <strong>Wachstum</strong> ohne die<br />
Passivierung der ungesättigten Bindungen [15]. Aufgr<strong>und</strong> dieses unterschiedlichen Verhaltens<br />
beschäftigt sich die hier vorliegende Arbeit zum einen mit der Adsorption von<br />
<strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong> der passivierten Si(111)-Oberfläche <strong>und</strong> zum anderen mit der Adsorption<br />
<strong>auf</strong> der unpassivierten GaN(0001)-Oberfläche.<br />
In dem folgenden 2. Kapitel werden die Gr<strong>und</strong>lagen, die zum Verständnis der Arbeit<br />
beitragen, kurz erläutert. Das 3. Kapitel soll die verwendeten Materialien näher bringen<br />
<strong>und</strong> eine Einführung in deren Eigenschaften geben. Die Probenpräparationen sowie die<br />
experimentellen Aufbauten sind in Kapitel 4 dargestellt. Gegenstand des 5. Kapitel sind<br />
die Untersuchungen zur Adsorption von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong> der mit Silber <strong>und</strong> Bismut passivierten<br />
Si(111)-Oberfläche. Das 6. Kapitel stellt einen kleinen Exkurs in die Reinigung von<br />
GaN-Oberflächen dar. Zum einen wird in diesem Kapitel die Reinigung der GaN(0001)-<br />
Oberfläche untersucht <strong>und</strong> zum andern die Reinigung der GaN(2110)-Oberfläche. Im<br />
dar<strong>auf</strong> folgendem 7. Kapitel wird die <strong>PTCDA</strong>-Adsorption <strong>auf</strong> der gereinigten GaN(0001)-<br />
Oberfläche untersucht. Den Abschluss dieser Arbeit stellt eine Zusammenfassung der<br />
Ergebnisse sowie einen Ausblick dar (Kapitel 8).<br />
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