Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

7.2. Morphologische Untersuchungen
reinen Oberfläche kann eine gestufte Oberfläche entnommen werden (siehe Abb. 7.2.1
(a)). Darüber hinaus sind noch eine Vielzahl von Löchern zu erkennen. Dabei handelt
es sich um Versetzungen mit Schraubencharakter, welche häufig die Ausgangspunkte
für Stufenkanten sind [75]. Nach der Adsorption von 4 Å PTCDA können kleine Inseln
mit einer durchschnittlichen Höhe von 3,7 nm auf der Oberfläche beobachtet werden.
Es ist zu erkennen, dass die Inseln über die Stufenkanten hinweg wachsen und die
PTCDA-Moleküle keine Korrelation mit den Stufenkanten aufweisen. Zusätzlich wachsen
die Inseln nicht bevorzugt an den Defekten der Oberfläche. Die fehlende Korrelation
mit Stufenkanten und Nukleation an Defekten der Oberfläche sowie die Inselbildung
weisen auf eine sehr geringe Wechselwirkung zwischen den Molekülen und dem Substrat
hin. Diese Beobachtungen stehen im Gegensatz zu den Ergebnissen von Cox et al. [138]
zur Adsorption von CuPc auf III-V-Halbleitern. Die Autoren konnten kein geordnetes
Wachstum der Moleküle auf galliumhaltigen III-V-Halbleitern (GaAs(100), GaSb(100))
beobachten und schließen auf eine starke Wechselwirkung zwischen den Galliumatomen
der Oberfläche und den Molekülen. Dass in diesem Fall keine starke Wechselwirkung
(a) rein
200 nm
(b) 4 Å (c) 9 Å
200 nm
(d) 15 Å (e) 20 Å
200 nm
200 nm 200 nm
Abb. 7.2.1: STM-Bild (a) der reinen GaN(0001)-Oberfläche (1000nm×770nm, Höhe: 1,1nm), (b)
mit 4Å PTCDA (1000nm×1000nm, Höhe 9,5nm), (c) mit 9Å PTCDA (1000nm×1000nm, Hö-
he: 10,3nm), (d) mit 15Å PTCDA (1000nm×1000nm, Höhe: 11,1nm), (e) mit 20Å PTCDA
(1000nm×1000nm, Höhe: 13,3nm) (Tunnelbedingungen: Utip=-3V, IT=0,3nA).
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