Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...
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6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberflächen<br />
Wie schon bei der Reinigung mit Gallium-<br />
Deposition/Desorption wurde auch bei der Plasmaunterstützen<br />
Reinigungsmethode der Effekt <strong>auf</strong> die<br />
Morphologie <strong>und</strong> Struktur untersucht. In Abb. 6.4.7<br />
sind STM-Bilder vor Reinigungsbeginn <strong>und</strong> nach<br />
abgeschlossener Reinigung gezeigt. Das STM-Bild<br />
vor Reinigungsbeginn (siehe Abb. 6.4.7) zeigt eine<br />
wellige Oberfläche mit vielen kleinen Löchern <strong>und</strong><br />
wenig großen Löchern. Die mittlere Rauigkeit dieser<br />
Oberfläche beträgt etwa 2,6 nm. Das Höhenprofil in<br />
Abb. 6.4.7 weist Amplituden von maximal 35 Å <strong>auf</strong>.<br />
Somit ist diese Oberfläche noch deutlich rauer als die Abb. 6.4.8: LEED-Bild nach dem<br />
Ausgangsoberfläche bei der Galliumreinigung. Diese<br />
unterschiedliche Rauigkeit ist dar<strong>auf</strong> zurückzuführen,<br />
letzten Reinigungsschritt (77eV).<br />
dass Proben aus verschiedenen Wafern verwendet wurden.<br />
Nach der Reinigung ist eine deutlich glattere Oberfläche mit einer geringeren Lochdichte<br />
zu beobachten (siehe Abb. 6.4.7). Darüber hinaus können nur noch kleinere Löcher<br />
beobachtet werden <strong>und</strong> keine großen Furchen wie <strong>auf</strong> der Ausgangsoberfläche. Das ausgewertete<br />
Höhenprofil zeigt Amplituden von ca. 10 Å <strong>und</strong> diese sind somit deutlich geringer<br />
als bei der Ausgangsoberfläche. Auch die mittlere Rauigkeit von etwa 1,07 nm bestätigt<br />
die deutliche Verbesserung der Oberfläche nach der Reinigung. Darüber hinaus können<br />
noch kleine parallele Furchen beobachtet werden, welche eine Tiefe von 3 -4Å <strong>auf</strong>weisen<br />
(siehe Abb. 6.4.7, Pfeil). Die Ursache der Furchen ist unklar. Es wird jedoch vermutet,<br />
dass diese aus dem <strong>Wachstum</strong>sprozess stammen. Analog zur c-plane-Oberfläche wird<br />
die Verbesserung der Oberfläche <strong>auf</strong> die Reduzierung der Kontaminate sowie <strong>auf</strong> eine<br />
Restrukturierung zurückgeführt [75].<br />
In Abb. 6.4.8 ist das Beugungsbild der Oberfläche nach dem letzten Reinigungsschritt<br />
dargestellt. Wie schon bei der Galliumreinigung kann wieder ein klares Bild der (1×1)-<br />
Oberflächenstruktur erkannt werden. Dies bestätigt die STM- <strong>und</strong> XPS-Ergebnisse <strong>und</strong><br />
deutet ebenfalls <strong>auf</strong> eine saubere Oberfläche mit guter Kristallinität hin.<br />
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