29.12.2012 Aufrufe

Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.

6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberflächen<br />

Wie schon bei der Reinigung mit Gallium-<br />

Deposition/Desorption wurde auch bei der Plasmaunterstützen<br />

Reinigungsmethode der Effekt <strong>auf</strong> die<br />

Morphologie <strong>und</strong> Struktur untersucht. In Abb. 6.4.7<br />

sind STM-Bilder vor Reinigungsbeginn <strong>und</strong> nach<br />

abgeschlossener Reinigung gezeigt. Das STM-Bild<br />

vor Reinigungsbeginn (siehe Abb. 6.4.7) zeigt eine<br />

wellige Oberfläche mit vielen kleinen Löchern <strong>und</strong><br />

wenig großen Löchern. Die mittlere Rauigkeit dieser<br />

Oberfläche beträgt etwa 2,6 nm. Das Höhenprofil in<br />

Abb. 6.4.7 weist Amplituden von maximal 35 Å <strong>auf</strong>.<br />

Somit ist diese Oberfläche noch deutlich rauer als die Abb. 6.4.8: LEED-Bild nach dem<br />

Ausgangsoberfläche bei der Galliumreinigung. Diese<br />

unterschiedliche Rauigkeit ist dar<strong>auf</strong> zurückzuführen,<br />

letzten Reinigungsschritt (77eV).<br />

dass Proben aus verschiedenen Wafern verwendet wurden.<br />

Nach der Reinigung ist eine deutlich glattere Oberfläche mit einer geringeren Lochdichte<br />

zu beobachten (siehe Abb. 6.4.7). Darüber hinaus können nur noch kleinere Löcher<br />

beobachtet werden <strong>und</strong> keine großen Furchen wie <strong>auf</strong> der Ausgangsoberfläche. Das ausgewertete<br />

Höhenprofil zeigt Amplituden von ca. 10 Å <strong>und</strong> diese sind somit deutlich geringer<br />

als bei der Ausgangsoberfläche. Auch die mittlere Rauigkeit von etwa 1,07 nm bestätigt<br />

die deutliche Verbesserung der Oberfläche nach der Reinigung. Darüber hinaus können<br />

noch kleine parallele Furchen beobachtet werden, welche eine Tiefe von 3 -4Å <strong>auf</strong>weisen<br />

(siehe Abb. 6.4.7, Pfeil). Die Ursache der Furchen ist unklar. Es wird jedoch vermutet,<br />

dass diese aus dem <strong>Wachstum</strong>sprozess stammen. Analog zur c-plane-Oberfläche wird<br />

die Verbesserung der Oberfläche <strong>auf</strong> die Reduzierung der Kontaminate sowie <strong>auf</strong> eine<br />

Restrukturierung zurückgeführt [75].<br />

In Abb. 6.4.8 ist das Beugungsbild der Oberfläche nach dem letzten Reinigungsschritt<br />

dargestellt. Wie schon bei der Galliumreinigung kann wieder ein klares Bild der (1×1)-<br />

Oberflächenstruktur erkannt werden. Dies bestätigt die STM- <strong>und</strong> XPS-Ergebnisse <strong>und</strong><br />

deutet ebenfalls <strong>auf</strong> eine saubere Oberfläche mit guter Kristallinität hin.<br />

123

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!