Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

6. Reinigung von GaN-Oberflächen
Analog zum Sauerstoffsignal zeigt auch die relative Häufigkeit der C1s-Emission eine
deutliche Verringerung nach dem ersten Heizschritt auf nC1s/nGaN = 0,076±0,011.
Ähnlich wie bei der Plasmareinigung auf der c-plane-Oberfläche ist der anschließende
Plasma-unterstützte Schritt in der Lage, die Kohlenstoffkontamination noch einmal
deutlich auf nC1s/nGaN = 0,014±0,002 zu reduzieren. Der folgende zweite Heizschritt
führt noch einmal zu einer minimalen Reduzierung der relativen Häufigkeit des Kohlenstoffes
auf nC1s/nGaN = 0,009±0,001. Demnach konnte die Kohlenstoffkontamination
auf 4 % des anfänglichen Gehaltes reduziert werden. Somit zeigt die Plasmareinigung
auch auf dieser Oberfläche eine deutlich effektivere Entfernung von Kohlenstoff als von
Sauerstoff. Dies wird analog zu den c-plane-Untersuchungen darauf zurückgeführt, dass
aktivierter Stickstoff ein hervorragendes Absorbermedium für Kohlenwasserstoffe darstellt
[115,124,129].
Darüber hinaus wurde auch wieder der Effekt des Prozesses auf die obersten Kristalllagen
untersucht. Das Ga:N-Elementverhältnis in Abhängigkeit des Reinigungsprozesses ist in
Abb. 6.4.6 gezeigt. Wieder zeigt sich keine Änderung in der Stöchiometrie über den
Reinigungsverlauf, und das Elementverhältnis entspricht im Rahmen des Fehlers dem
theoretisch erwarteten Wert von 1:1. Dies zeigt, dass diese Reinigungsmethode auch auf
der a-plane keinen negativen Einfluss auf die obersten Kristalllagen hat.
Morphologische Charakterisierung
Abb. 6.4.7: STM-Bilder der Probenoberfläche (a) vor Reinigungsbeginn; Inset: Linienprofil entlang der
gestrichelten Linie (800nm×940nm, Utip =-3V, IT =0,3nA). (b) Probenoberfläche nach dem letzten
Reinigungsschritt; Inset: Linienprofil entlang der gestrichelten Linie (1000nm×1000nm, Utip =-3V,
IT =0,3nA).
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