Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

lfd. Nr. Reinigungsschritt
1 initial surface
Chemische Charakterisierung
2 Heizschritt: 14h bei 750 ◦ C
6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberflächen
3 N2-Plasma: 30 min 375 ◦ C & 10 min 700 ◦ C; 350 W
2 2. Heizschritt: 14h bei 750 ◦ C
Tab. 6.4.2: Detaillierte Beschreibung des Reinigungsprozesses.
Zur quantitativen Auswertung des Reinigungsverlaufes sind in Abb. 6.4.5 die relativen
Häufigkeiten der O1s- und C1s-Emission gegen die verschiedenen Reinigungsschritte
aufgetragen. Auch auf dieser Oberfläche kann eine deutliche Kontamination
durch Kohlenstoff und Sauerstoff beobachtet werden (nC1s/nGaN = 0,267±0,040,
nO1s/nGaN = 0,128±0,019). Wird die Entwicklung des Sauerstoffes betrachtet, so zeigt
sich eine drastische Reduktion durch den ersten Heizschritt (nO1s/nGaN = 0,081±0,012).
Der nachfolgende Plasma-unterstützte Reinigungsschritt zeigt nochmals eine Reduzierung
der relativen Häufigkeit auf nO1s/nGaN = 0,060±0,009. Wie schon zuvor beobachtet
wurde, begünstigt der abschließende Heizschritt die Reoxidation der kontaminationsarmen
Probenoberfläche durch Restgasatome im UHV. Durch diesen Schritt steigt die Sauerstoffkonzentration
wieder auf nO1s/nGaN = 0,088±0,013 an. Wird der letzte Heizschritt
außer acht gelassen , so konnte die Sauerstoffkontamination auf 46 % der anfänglichen
Verunreinigung reduziert werden.
n C1s /n GaN
n O1s /n GaN
0.3
0.2
0.1
0
0.15
0.10
0.05
Sauerstoff
Kohlenstoff
1 2 3 4
Reinigungsschritt
Abb. 6.4.5: Entwicklung der Kohlenstoff- und
Sauerstoffkontaminationen während des Reini-
gungsverlaufes.
n Ga3d /n N1s
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
1 2 3 4
Reinigungsschritt
Daten
Theorie
Abb. 6.4.6: Entwicklung des Ga:N-
Elementverhältnisses während des Reini-
gungsverlaufes.
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