Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...
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6. Reinigung von GaN-Oberflächen<br />
die zu Beginn vermutete Kontaminationsschicht entfernt<br />
wurde, <strong>und</strong> die Oberfläche klar abgebildet wird.<br />
Nur vereinzelt sind noch Kontaminationsagglomerate<br />
zu erkennen (siehe Abb. 6.4.3, Pfeile). Die Löcher<br />
der Oberfläche sind scharf dargestellt <strong>und</strong> insgesamt<br />
suggeriert das gesamte Bild eine deutlich glattere<br />
Oberfläche. Die Löcher der Oberfläche sind <strong>auf</strong> Fadenversetzungen<br />
zurückzuführen, <strong>und</strong> die längliche<br />
Form der Löcher resultiert aus der unterschiedlichen<br />
Diffusionslänge der N- <strong>und</strong> Ga-Atome parallel zur<br />
c-Richtung [131]. Eine Betrachtung des Höhenprofils<br />
dieser Oberfläche zeigt (siehe Abb. 6.4.3 (b), In- Abb. 6.4.4: LEED-Bild nach dem letzset)<br />
Amplituden von±2 Å <strong>und</strong> bestätigt eine glattere ten Reinigungsschritt (77eV).<br />
Oberfläche. Die mittlere Rauigkeit dieser Oberfläche<br />
beträgt etwa 0,39 nm <strong>und</strong> weist ebenfalls <strong>auf</strong> eine deutliche Glättung der Oberfläche<br />
hin. Zum einen ist die geringere Rauigkeit durch die Entfernung der Kontaminate zu<br />
erklären, <strong>und</strong> zum anderen kann jedoch, wie schon bei der c-plane-Oberfläche vermutet,<br />
nicht ausgeschlossen werden, dass es durch einen Austausch von Ga- <strong>und</strong> O-Atomen zu<br />
einer teilweisen Restrukturierung der Oberfläche kommt.<br />
Analog zu den c-plane-Untersuchungen konnte auch <strong>auf</strong> dieser Oberfläche nach dem<br />
Abschluss der Reinigung ein intensives Beugungsbild der (1×1)-Oberflächenstruktur mit<br />
wenig Untergr<strong>und</strong> beobachtet werden (siehe Abb. 6.4.4). Über Untersuchungen an Spaltproben<br />
[58] <strong>und</strong> mit Hilfe von Dichtefunktionaltheorie [132] konnte gezeigt werden, dass<br />
es sich bei dieser Struktur um die Gleichgewichtsstruktur handelt. Das Beugungsbild<br />
bestätigt somit die STM- <strong>und</strong> XPS-Ergebnisse <strong>und</strong> deutet ebenfalls <strong>auf</strong> eine saubere<br />
Oberfläche mit guter Kristallinität hin.<br />
6.4.2. N2-Plasma-unterstützte Reinigung<br />
In diesem Abschnitt wird der Effekt der N2-Plasma-unterstützten Methode <strong>auf</strong> die aplane-Oberfläche<br />
untersucht. Das verwendete Verfahren ist im Abschnitt 4.3.1 in Abb.<br />
4.3.2 beschrieben. Die detaillierten Reinigungsschritte sind in Tab. 6.4.2 zusammengefasst.<br />
Analog zu allen anderen Messungen wurde hier ebenfalls über die vermessenen<br />
Proben gemittelt. Die Messwerte der einzelnen Proben sind im Anhang in den Tab.<br />
A.2.10, A.2.11 einzusehen.<br />
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