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Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

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6. Reinigung von GaN-Oberflächen<br />

die zu Beginn vermutete Kontaminationsschicht entfernt<br />

wurde, <strong>und</strong> die Oberfläche klar abgebildet wird.<br />

Nur vereinzelt sind noch Kontaminationsagglomerate<br />

zu erkennen (siehe Abb. 6.4.3, Pfeile). Die Löcher<br />

der Oberfläche sind scharf dargestellt <strong>und</strong> insgesamt<br />

suggeriert das gesamte Bild eine deutlich glattere<br />

Oberfläche. Die Löcher der Oberfläche sind <strong>auf</strong> Fadenversetzungen<br />

zurückzuführen, <strong>und</strong> die längliche<br />

Form der Löcher resultiert aus der unterschiedlichen<br />

Diffusionslänge der N- <strong>und</strong> Ga-Atome parallel zur<br />

c-Richtung [131]. Eine Betrachtung des Höhenprofils<br />

dieser Oberfläche zeigt (siehe Abb. 6.4.3 (b), In- Abb. 6.4.4: LEED-Bild nach dem letzset)<br />

Amplituden von±2 Å <strong>und</strong> bestätigt eine glattere ten Reinigungsschritt (77eV).<br />

Oberfläche. Die mittlere Rauigkeit dieser Oberfläche<br />

beträgt etwa 0,39 nm <strong>und</strong> weist ebenfalls <strong>auf</strong> eine deutliche Glättung der Oberfläche<br />

hin. Zum einen ist die geringere Rauigkeit durch die Entfernung der Kontaminate zu<br />

erklären, <strong>und</strong> zum anderen kann jedoch, wie schon bei der c-plane-Oberfläche vermutet,<br />

nicht ausgeschlossen werden, dass es durch einen Austausch von Ga- <strong>und</strong> O-Atomen zu<br />

einer teilweisen Restrukturierung der Oberfläche kommt.<br />

Analog zu den c-plane-Untersuchungen konnte auch <strong>auf</strong> dieser Oberfläche nach dem<br />

Abschluss der Reinigung ein intensives Beugungsbild der (1×1)-Oberflächenstruktur mit<br />

wenig Untergr<strong>und</strong> beobachtet werden (siehe Abb. 6.4.4). Über Untersuchungen an Spaltproben<br />

[58] <strong>und</strong> mit Hilfe von Dichtefunktionaltheorie [132] konnte gezeigt werden, dass<br />

es sich bei dieser Struktur um die Gleichgewichtsstruktur handelt. Das Beugungsbild<br />

bestätigt somit die STM- <strong>und</strong> XPS-Ergebnisse <strong>und</strong> deutet ebenfalls <strong>auf</strong> eine saubere<br />

Oberfläche mit guter Kristallinität hin.<br />

6.4.2. N2-Plasma-unterstützte Reinigung<br />

In diesem Abschnitt wird der Effekt der N2-Plasma-unterstützten Methode <strong>auf</strong> die aplane-Oberfläche<br />

untersucht. Das verwendete Verfahren ist im Abschnitt 4.3.1 in Abb.<br />

4.3.2 beschrieben. Die detaillierten Reinigungsschritte sind in Tab. 6.4.2 zusammengefasst.<br />

Analog zu allen anderen Messungen wurde hier ebenfalls über die vermessenen<br />

Proben gemittelt. Die Messwerte der einzelnen Proben sind im Anhang in den Tab.<br />

A.2.10, A.2.11 einzusehen.<br />

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