Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberflächen
rücksichtigt, so konnte der Sauerstoffgehalt auf 20 % des Anfangsgehaltes reduziert
werden.
Neben dem Effekt dieses Prozesses auf die Kontaminate wurde auch der Einfluss auf die
obersten Kristalllagen untersucht. In Abb. 6.4.2 ist das Ga:N-Elementverhältnis während
des Reinigungsverlaufes gezeigt. Im Rahmen des Fehlers entspricht das Verhältnis über
den gesamten Reinigungsverlauf dem theoretisch erwarteten Elementverhältnis von 1:1.
Wie schon auf der c-plane hat diese Reinigungsmethode keine negativen Einflüsse auf
die obersten Kristalllagen der a-plane Oberfläche gezeigt.
Morphologische Charakterisierung
Höhe (Å)
10
5
0
-5
-10
0 100 200 300
Abstand (nm)
(a) (b)
Höhe (Å)
10
5
0
100 nm 100 nm
-5
-10
0 100 200 300
Abstand (nm)
Abb. 6.4.3: STM-Bilder der Probenoberfläche (a) vor Reinigungsbeginn; Inset: Linienprofil entlang
der gestrichelten Linie (450nm×450nm, Utip =-4V, IT =0,3nA). (b) Probenoberfläche nach dem letz-
ten Reinigungsschritt; Inset: Linienprofil entlang der gestrichelten Linie (450nm×450nm, Utip =-6V,
IT =0,3nA).
Um den Effekt der Reinigungsmethode auf die Oberflächenmorphologie zu untersuchen,
wurde zum Vergleich ein STM-Bild vor und nach der Reinigung aufgenommen (siehe
Abb. 6.4.3). Das Bild der Probenoberfläche vor Reinigungsbeginn (siehe Abb. 6.4.3 (a))
ist wieder von einem leichten Schleier überzogen, welcher auf die Verunreinigungen zurückzuführen
ist. Durch diesen Schleier können die Oberflächenmerkmale nur erahnt
werden. Wird das Höhenprofil der Probe analysiert (siehe Abb. 6.4.3 (a) Inset), so zeigen
sich Amplituden von ±7 Å, und die mittlere Rauigkeit der Probenoberfläche beträgt
etwa 1,07 nm. Wird die Oberfläche nach dem letzten Reinigungsschritt betrachtet (siehe
Abb. 6.4.3 (b)), so ist der Schleier verschwunden. Dies ist darauf zurückzuführen, dass
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