Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberflächen
6.4. Reinigung von GaN(2110)-Oberflächen
In diesem Abschnitt werden die oben beschriebenen Reinigungsmethoden auf die nicht
polare a-plane übertragen. Die vorgestellten Ergebnisse wurden in Zusammenarbeit
mit Hendrik Geffers [130] und Simon Kuhr [26] erarbeitet. Analog zu den c-plane-
Untersuchungen wird die Effektivität dieser beiden Reinigungsmethoden bezüglich der
Sauerstoff- und Kohlenstoffkontaminationen auf der Oberfläche diskutiert. Darüber hinaus
wird der Einfluss der Reinigungen auf die Struktur und Oberflächenmorphologie
erörtert. Ähnlich wie bei den c-plane-Untersuchungen wurden alle vermessenen Proben
nicht der Atmosphäre ausgesetzt.
6.4.1. Gallium-Deposition/Desorption-Reinigung
Das verwendete Reinigungsverfahren, um die Oberflächen von Sauerstoff- und Kohlenstoffkontaminaten
zu befreien, ist in in Abschnitt 4.3.1 in Abb. 4.3.2 beschrieben. Darüber
hinaus kann eine detaillierte Angabe der Reinigungsschritte der Tab. 6.4.1 entnommen
werden. Um die Effektivität des ersten Heizschrittes zu verbessern, wurde die
Temperatur bei diesem Schritt auf 750 ◦ C angehoben [26]. Die dargestellten Ergebnisse
stellen eine Mittelung über alle vermessenen Proben dar und die Messwerte der einzelnen
Proben können im Anhang in den Tab. A.2.7, A.2.8, A.2.10 eingesehen werden.
lfd. Nr. Reinigungsschritt
1 initial surface
2 Heizschritt: 14h bei 750 ◦ C
3 1. Ga on/off; on= 3 ML bei RT, off = 20 min bei 750 ◦ C
4 2. Ga on/off; on= 3 ML bei RT, off = 20 min bei 750 ◦ C
5 3. Ga on/off; on= 3 ML bei RT, off = 20 min bei 750 ◦ C
6 Heizschritt: 14h bei 750 ◦ C
Chemische Charakterisierung
Tab. 6.4.1: Detaillierte Beschreibung des Reinigungszyklus.
Wie auch schon auf der c-plane konnten trotz N2-Schutzgasatmosphäre sowohl
Kohlenstoff- als auch Sauerstoffverunreinigungen detektiert werden. Die Anfangskontaminationen
liegen bei nC1s/nGaN = 0,276±0,054 bzw. nO1s/nGaN = 0,127±0,019. Die
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