Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

6.3.2. N2-Plasma-unterstützte Reinigung
6.3. Reinigung von GaN(0001)-Oberflächen
In diesem Abschnitt wird die Effektivität eines N2-Plasma-gestützten Reinigungsprozesses
in Bezug auf die Kontaminate Sauerstoff und Kohlenstoff untersucht. Die Reinigung
der Proben erfolgte nach dem in Abschnitt 4.3.1 in Abb. 4.3.2 beschriebenen Verfahren.
Eine detaillierte Angabe der Reinigungsschritte kann der Tab. 6.3.2 entnommen werden.
Analog zu den oben beschriebenen Messungen stellen die hier vorgestellten Ergebnisse
eine Mittelung über alle vermessenen Proben dar (siehe Tab. A.2.5, A.2.6).
lfd. Nr. Reinigungsschritt
1 initial surface
Chemische Charakterisierung
2 Heizschritt: 14h bei 650 ◦ C
3 N2-Plasma: 30 min 375 ◦ C & 10 min 750 ◦ C; 350 W
Tab. 6.3.2: Detaillierte Beschreibung des Reinigungsprozesses.
Zur quantitativen Analyse des Reinigungsverlaufes
werden die normierten relativen Häufigkeiten
der O1s- und C1s-Emission über den Reinigungsverlauf
dargestellt (siehe Abb. 6.3.8). Wie
schon bei den Proben der Ga-Reinigung kann
wieder eine deutliche Kontamination durch Kohlenstoff
(nC1s/nGaN = 0,466±0,069) und Sauerstoff
(nO1s/nGaN = 0,442±0,064) beobachtet
werden. Dass bei diesen Proben die Kontamination
durch Kohlenstoff und Sauerstoff etwa
gleich stark sind, kann z.B. durch Verunreinigungen
während des Transfers erklärt
werden. Der erste Heizschritt sorgt wieder
für eine drastische Verringerung der beiden
Kontaminationen auf nC1s/nGaN = 0,131±0,019
bzw. nO1s/nGaN = 0,224±0,033. Die anschlie-
n C1s /n GaN
n O1s /n GaN
0.6
0.4
0.2
0
0.5
0.4
0.3
0.2
Sauerstoff
Kohlenstoff
1 2
Reinigungsschritt
3
Abb. 6.3.8: Entwicklung der Kohlenstoff-
und Sauerstoffkontaminationen während des
Reinigungsverlaufes.
ßende Plasmareinigung sorgt für eine deutliche Reduzierung des Kohlenstoffs
(nC1s/nGaN = 0,043±0,006), während der Reinigungseffekt auf den Sauerstoff geringer
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