Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

6. Reinigung von GaN-Oberflächen
(a) (b)
Höhe (Å)
4
2
0
-2
0 50 100 150
Abstand (nm)
Höhe (Å)
4
2
25 nm 25 nm
0
-2
0 50 100 150
Abstand (nm)
Abb. 6.3.6: STM-Bild der Probenoberfläche (a) vor Reinigungsbeginn mit Linienprofil antlang der
gestrichelten Linie, (b) nach dem letzten Reinigungsschritt mit Linienprofil entlang der gestrichelten
Linie (1000nm×700nm, Utip =-3V, IT =0,3nA).
erahnt werden und die weißen Sprenkel können nun
gut erkannt werden. Es ist davon auszugehen, dass
es sich hierbei um agglomerierte Verunreinigungen
auf der Oberfläche handelt. Wird das Höhenprofil
der Oberfläche betrachtet, so zeigt sich eine Schwankung
in einem Bereich von bis zu 5 Å (Abb. 6.3.6
(a), Linienprofil). Ein Vergleich mit der gereinigten
Oberfläche (Abb. 6.3.6 (b)), zeigt eine deutliche Verringerung
der Kontaminationsdichte. Darüber hinaus
sind, wie schon im Übersichtsscan zu erkennen, die
Stufenkanten und Defekte scharf dargestellt. Im Vergleich
zu dem Höhenprofil der ungereinigten Oberfläche
zeigt sich eine viel geringere Oberflächenrau-
Abb. 6.3.7: LEED-Bild nach dem letzigkeit
von ±1 Å (Abb. 6.3.6 (b), Linienprofil). Dies
ten Reinigungsschritt (44eV).
ist zum einen durch die Entfernung von Kontaminaten
zu erklären, und zum anderen kann jedoch auch
nicht ausgeschlossen werden, dass es durch einen Austausch von Ga- und O-Atomen zu
einer teilweisen Restrukturierung der Oberfläche kommt.
Diese STM-Daten zeigen somit eine deutliche Verbesserung der c-plane-
Oberflächenmorphologie durch den Reinigungsprozess. Darüber hinaus konnte nach
Abschluss der Reinigung ein intensives Beugungsbild der (1×1)-Oberflächenstruktur
mit wenig Untergrund beobachtet werden (siehe Abb. 6.3.7). Dies bestätigt die STMund
XPS-Ergebnisse und deutet ebenfalls auf eine saubere Oberfläche mit guter
Kristallinität hin.
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