Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...
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5. <strong>Wachstum</strong> von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong> passivierten Siliziumoberflächen<br />
grad keine HB-Phase präferiert ausgebildet wird, <strong>und</strong> alle äquivalenten Beugungsreflexe<br />
die gleiche Intensität <strong>auf</strong>weisen. Darüber hinaus ist im Vergleich zu den analogen Bedeckungen<br />
bei Raumtemperatur jetzt noch <strong>auf</strong>fälliger, dass die (10)- <strong>und</strong> (01)-Reflexe<br />
ausgelöscht sind. Des Weiteren bilden sich selbst bei einer Bedeckung von 1,5 ML nur<br />
fünf HB-Phasen aus <strong>und</strong> nicht wie bei Raumtemperatur sechs. Abb. 5.4.33 zeigt einen<br />
vergrößerten Teil des Beugungsbildes aus Abb. 5.4.32 (rechts). Es ist deutlich zu erkennen,<br />
dass in dem Beugunsgbild die Reflexe einer HB-Phase (weiß) nicht <strong>auf</strong>treten, <strong>und</strong><br />
diese Phase im Vergleich zum Raumtemperaturfilm nicht ausgebildet wird. Ebenso sind<br />
die Reflexe einer weiteren HB-Phase nur sehr schwach im Beugungsbild des Hochtemperaturfilms<br />
ausgeprägt (gelb). Somit führt die erhöhte Mobilität der Moleküle <strong>auf</strong> der<br />
Oberfläche dazu, dass bestimmte Phasen nicht mehr <strong>auf</strong>treten oder nur vereinzelt gebildet<br />
werden, was dar<strong>auf</strong> schließen lässt, dass diese Phasen energetisch ungünstiger sind<br />
als die anderen HB-Phasen.<br />
Zusätzlich sind im Beugungsbild für<br />
die Bedeckung von einer Monolage ausschließlich<br />
Beugungsreflexe des Substrates<br />
<strong>und</strong> der HB-Phasen zu beobachten.<br />
Im Gegensatz zu den Raumtemperaturmessungen<br />
werden bei der Adsorption bei<br />
140 ◦ C keine quadratischen, brick-wall-,<br />
BWM- oder PS-Strukturen ausgebildet.<br />
Diese Beobachtung bestätigt die in Abschnitt<br />
5.4.2 gemachte Vermutung, dass<br />
diese Strukturen energetisch ungünstig<br />
sind.<br />
5.5. Zusammenfassung<br />
Abb. 5.4.33: Vergößerter Teil des Beugungsbilds<br />
aus Abb. 5.4.32 (rechts).<br />
Anhand von SPA-LEED-Experimenten konnte das <strong>Wachstum</strong> von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong><br />
Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Ag-Oberflächen bei Raumtemperatur untersucht werden. Hierbei<br />
hat sich gezeigt, dass das <strong>PTCDA</strong> bevorzugt in der vom Volumenmaterial bekannten<br />
HB-Struktur <strong>und</strong> einer quadratischen Struktur <strong>auf</strong>wächst. Ein Vergleich dieser Strukturen<br />
mit den STM-Analysen von Swarbrick et al. [87] <strong>und</strong> Gustafsson et al. [88] zeigen<br />
eine gute Übereinstimmung in Bezug <strong>auf</strong> die Abmessungen der Einheitszellen. Zusätzlich<br />
zu diesen Strukturen konnte eine noch unbekannte <strong>PTCDA</strong>-Struktur mit schiefwinkliger<br />
Einheitszelle beobachtet werden. Diese Strukturen konnten den Großteil der Beugungsreflexe<br />
erklären <strong>und</strong> nur einige wenige, schwache Beungungsreflexe konnten nicht erklärt<br />
werden. Mit zunehmender <strong>PTCDA</strong>-Bedeckung konnte eine präferierte Ausbildung von<br />
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