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Wachstum und Charakterisierung dünner PTCDA-Filme auf ...

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5. <strong>Wachstum</strong> von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong> passivierten Siliziumoberflächen<br />

grad keine HB-Phase präferiert ausgebildet wird, <strong>und</strong> alle äquivalenten Beugungsreflexe<br />

die gleiche Intensität <strong>auf</strong>weisen. Darüber hinaus ist im Vergleich zu den analogen Bedeckungen<br />

bei Raumtemperatur jetzt noch <strong>auf</strong>fälliger, dass die (10)- <strong>und</strong> (01)-Reflexe<br />

ausgelöscht sind. Des Weiteren bilden sich selbst bei einer Bedeckung von 1,5 ML nur<br />

fünf HB-Phasen aus <strong>und</strong> nicht wie bei Raumtemperatur sechs. Abb. 5.4.33 zeigt einen<br />

vergrößerten Teil des Beugungsbildes aus Abb. 5.4.32 (rechts). Es ist deutlich zu erkennen,<br />

dass in dem Beugunsgbild die Reflexe einer HB-Phase (weiß) nicht <strong>auf</strong>treten, <strong>und</strong><br />

diese Phase im Vergleich zum Raumtemperaturfilm nicht ausgebildet wird. Ebenso sind<br />

die Reflexe einer weiteren HB-Phase nur sehr schwach im Beugungsbild des Hochtemperaturfilms<br />

ausgeprägt (gelb). Somit führt die erhöhte Mobilität der Moleküle <strong>auf</strong> der<br />

Oberfläche dazu, dass bestimmte Phasen nicht mehr <strong>auf</strong>treten oder nur vereinzelt gebildet<br />

werden, was dar<strong>auf</strong> schließen lässt, dass diese Phasen energetisch ungünstiger sind<br />

als die anderen HB-Phasen.<br />

Zusätzlich sind im Beugungsbild für<br />

die Bedeckung von einer Monolage ausschließlich<br />

Beugungsreflexe des Substrates<br />

<strong>und</strong> der HB-Phasen zu beobachten.<br />

Im Gegensatz zu den Raumtemperaturmessungen<br />

werden bei der Adsorption bei<br />

140 ◦ C keine quadratischen, brick-wall-,<br />

BWM- oder PS-Strukturen ausgebildet.<br />

Diese Beobachtung bestätigt die in Abschnitt<br />

5.4.2 gemachte Vermutung, dass<br />

diese Strukturen energetisch ungünstig<br />

sind.<br />

5.5. Zusammenfassung<br />

Abb. 5.4.33: Vergößerter Teil des Beugungsbilds<br />

aus Abb. 5.4.32 (rechts).<br />

Anhand von SPA-LEED-Experimenten konnte das <strong>Wachstum</strong> von <strong>PTCDA</strong> <strong>auf</strong><br />

Si(111) √ 3× √ 3 R-30 ◦ -Ag-Oberflächen bei Raumtemperatur untersucht werden. Hierbei<br />

hat sich gezeigt, dass das <strong>PTCDA</strong> bevorzugt in der vom Volumenmaterial bekannten<br />

HB-Struktur <strong>und</strong> einer quadratischen Struktur <strong>auf</strong>wächst. Ein Vergleich dieser Strukturen<br />

mit den STM-Analysen von Swarbrick et al. [87] <strong>und</strong> Gustafsson et al. [88] zeigen<br />

eine gute Übereinstimmung in Bezug <strong>auf</strong> die Abmessungen der Einheitszellen. Zusätzlich<br />

zu diesen Strukturen konnte eine noch unbekannte <strong>PTCDA</strong>-Struktur mit schiefwinkliger<br />

Einheitszelle beobachtet werden. Diese Strukturen konnten den Großteil der Beugungsreflexe<br />

erklären <strong>und</strong> nur einige wenige, schwache Beungungsreflexe konnten nicht erklärt<br />

werden. Mit zunehmender <strong>PTCDA</strong>-Bedeckung konnte eine präferierte Ausbildung von<br />

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